GA1206A1R2DBBBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等電力電子應(yīng)用領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能,能夠有效降低系�(tǒng)功耗并提高效率�
該型�(hào)屬于功率MOSFET家族,具體設(shè)�(jì)為N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�。其封裝形式和電氣特性使其非常適合用于需要高效能和可靠性的工業(yè)及消�(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)品中�
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流�6.8A
�(dǎo)通電阻:27mΩ
柵極電荷�45nC
輸入電容�1280pF
反向傳輸電容�170pF
工作溫度范圍�-55� to +175�
封裝形式:TO-263-3
GA1206A1R2DBBBR31G具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(27mΩ),在高電流�(yīng)用中可以顯著減少功率損��
2. 高效的開(kāi)�(guān)性能,得益于較小的柵極電荷和快速的�(kāi)�(guān)速度�
3. 出色的熱�(wěn)定�,即使在高溫�(huán)境下也能保持�(wěn)定的電氣性能�
4. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合全球市場(chǎng)的應(yīng)用需��
5. 封裝緊湊,易于集成到各種電路板設(shè)�(jì)��
6. 能夠承受較高的漏源電壓(120V),適用于多種電壓等�(jí)的應(yīng)用場(chǎng)��
這款功率MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)或同步整流元��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于控制直流無(wú)刷電�(jī)或其他類(lèi)型電�(jī)的運(yùn)行狀�(tài)�
3. 各類(lèi)DC-DC�(zhuǎn)換器,提供高效的電壓�(zhuǎn)換功��
4. �(guò)流保�(hù)和負(fù)載切換電路,確保系統(tǒng)的安全性和可靠��
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊�
6. 消費(fèi)�(lèi)電子�(chǎn)�,如筆記本適配器、LED�(qū)�(dòng)器等�
IRFZ44N
FDP5800
AO3400