最大漏源電壓：120V
　　最大柵源電壓：±20V
　　連續(xù)漏極電流：6.8A
　　導(dǎo)通電阻：45mΩ
　　總柵極電荷：27nC
　　開(kāi)關(guān)時(shí)間：ton=9ns, toff=12ns
　　工作溫度范圍：-55°C至+175°C

GA1206A1R2CXBBC31G 的主要特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻，這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率。
　　其次，該器件具有高開(kāi)關(guān)速度，可以支持高頻應(yīng)用，從而允許使用更小的無(wú)源元件，進(jìn)一步降低系統(tǒng)成本和尺寸。
　　此外，其出色的熱性能和堅(jiān)固的設(shè)計(jì)使其能夠在極端溫度條件下可靠運(yùn)行，非常適合惡劣環(huán)境下的應(yīng)用。

該功率MOSFET適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景，包括但不限于開(kāi)關(guān)電源（SMPS）、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)控制、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電池保護(hù)以及電信和網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的電源管理模塊。
　　由于其高效率和可靠性，這款晶體管也常用于工業(yè)設(shè)備、消費(fèi)類電子產(chǎn)品和汽車電子領(lǐng)域。

GA1206A1R2CXBBT31G