GA1206A1R2CBEBT31G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)器件,主要用于開關和功率轉換應用。該型號屬于溝道� MOSFET,具有低導通電�、高效率和快速開關性能的特��
該芯片適用于多種電子設備�,包括但不限于開關電�、電機驅動、DC-DC 轉換器等場景。其設計能夠承受較高的電壓和電流負載,并提供卓越的熱性能表現(xiàn)�
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流�6.4A
導通電阻:0.028Ω
柵極電荷�37nC
總電容:590pF
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝類型:TO-263-3
GA1206A1R2CBEBT31G 的主要特性如下:
1. 極低的導通電�,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開關能�,使其非常適合高頻應��
3. 出色的熱�(wěn)定�,在極端溫度條件下也能保持可靠的性能�
4. 強大的過載保護功�,增強整體系�(tǒng)的安全性�
5. 小型化封裝設�,便于在空間有限的電路板上使��
6. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)保無毒害�
此款 MOSFET 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)和適配器中的功率開��
2. 各類 DC-DC 轉換器的核心元件�
3. 電動工具及家用電器的電機驅動控制�
4. 工業(yè)自動化設備中的負載切��
5. 新能源汽車內的電池管理系�(tǒng)(BMS)以及逆變器組��
6. LED 照明驅動電路�
GA1206A1R2CBEBT21G, GA1206A1R2CBEBT41G