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GA1206A1R2CBEBT31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/6 12:13:25 查看 閱讀�4

GA1206A1R2CBEBT31G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)器件,主要用于開關和功率轉換應用。該型號屬于溝道� MOSFET,具有低導通電�、高效率和快速開關性能的特��
  該芯片適用于多種電子設備�,包括但不限于開關電�、電機驅動、DC-DC 轉換器等場景。其設計能夠承受較高的電壓和電流負載,并提供卓越的熱性能表現(xiàn)�

參數(shù)

最大漏源電壓:120V
  連續(xù)漏極電流�6.4A
  導通電阻:0.028Ω
  柵極電荷�37nC
  總電容:590pF
  工作溫度范圍�-55°C � +175°C
  封裝類型:TO-263-3

特�

GA1206A1R2CBEBT31G 的主要特性如下:
  1. 極低的導通電�,有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高速開關能�,使其非常適合高頻應��
  3. 出色的熱�(wěn)定�,在極端溫度條件下也能保持可靠的性能�
  4. 強大的過載保護功�,增強整體系�(tǒng)的安全性�
  5. 小型化封裝設�,便于在空間有限的電路板上使��
  6. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)保無毒害�

應用

此款 MOSFET 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS)和適配器中的功率開��
  2. 各類 DC-DC 轉換器的核心元件�
  3. 電動工具及家用電器的電機驅動控制�
  4. 工業(yè)自動化設備中的負載切��
  5. 新能源汽車內的電池管理系�(tǒng)(BMS)以及逆變器組��
  6. LED 照明驅動電路�

替代型號

GA1206A1R2CBEBT21G, GA1206A1R2CBEBT41G

ga1206a1r2cbebt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容1.2 pF
  • 容差±0.25pF
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-