時間：2025/5/30 14:53:22
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GA1206A1R2BBLBT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用。該器件采用先進的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能，適用于需要高效能和高可靠性的電路設(shè)計。
此型號為 TO-263 封裝形式，適合表面貼裝技術(shù) (SMT)，能夠顯著減少系統(tǒng)尺寸并提高功率密度。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：45A
導(dǎo)通電阻：1.8mΩ
柵極電荷：39nC
開關(guān)時間：ton=8ns, toff=16ns
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻，有助于降低功耗并提升效率。
2. 快速開關(guān)性能，支持高頻操作，非常適合開關(guān)電源及 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
3. 強大的散熱能力，使其能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定運行。
4. 高可靠性設(shè)計，確保在各種惡劣條件下的長期使用。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
1. 開關(guān)電源（SMPS）
2. 電機控制與驅(qū)動
3. 工業(yè)自動化設(shè)備
4. 電信基礎(chǔ)設(shè)施中的負(fù)載管理
5. 汽車電子系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)
6. 計算機及外設(shè)中的電源管理模塊
IRFZ44N, FDP5570, STP55NF06L
