GA1206A1R0CBABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先進的制造工藝設(shè)�。該芯片主要�(yīng)用于高效�、高頻開�(guān)場景,適合用� DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)�、負載開�(guān)等應(yīng)用場�。其�(yōu)化的�(dǎo)通電阻和低柵極電荷特性使其在功率�(zhuǎn)換應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
這款芯片具有出色的熱性能和電氣性能,能夠承受較高的電壓和電流負�,同時保持較低的功耗。此�,它還具備快速開�(guān)能力和良好的抗干擾性能,確保在�(fù)雜電磁環(huán)境下的穩(wěn)定運��
型號:GA1206A1R0CBABR31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
持續(xù)漏極電流(Id)�120A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�0.8mΩ (典型值,在特定條件下)
柵極電荷(Qg)�45nC (典型�)
總電�(Ciss)�3200pF (典型�)
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247-3
GA1206A1R0CBABR31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)能力,支持高頻操作,適用于現(xiàn)代高效電源轉(zhuǎn)換設(shè)��
3. 高額定電流和電壓,能夠在惡劣�(huán)境下提供�(wěn)定的性能�
4. 出色的熱�(wěn)定�,確保長時間運行時不會過��
5. 良好的抗靜電能力(ESD),提高了器件的可靠性和耐用��
6. 封裝堅固耐用,便于安裝和散熱管理�
這些特點� GA1206A1R0CBABR31G 成為工業(yè)控制、汽車電子和通信電源等領(lǐng)域的理想選擇�
GA1206A1R0CBABR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器,提供高效的功率�(zhuǎn)��
2. 電機�(qū)動電�,用于控制各種類型的電動�,包括步進電機和無刷直流電機�
3. 負載開關(guān)和保護電�,確保系�(tǒng)的安全性和�(wěn)定性�
4. 汽車電子�(shè)�,例如電池管理系�(tǒng)(BMS)、逆變器和車載充電��
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模塊�
其強大的性能和可靠性使得該芯片成為眾多高要求應(yīng)用場景的理想解決方案�
GA1206A1R0CBABR29G
IRF7739TRPBF
FDP155N10AE
STW13NM100K5
AOZ1206A