GA1206A1R0BXEBP31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機�(qū)動等�(lǐng)�。該芯片采用先進的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和�(wěn)定��
這款功率 MOSFET 屬于 N 溝道增強型器�,適合高電流�(yīng)用場合。其封裝形式為行�(yè)標準的表面貼裝類�,便于自動化生產(chǎn)和安��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�120A
�(dǎo)通電阻:1.0mΩ
柵極電荷�95nC
總電容:1800pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA1206A1R0BXEBP31G 的主要特性包括以下幾點:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),能夠在大電流條件下減少功耗并提升效率�
2. 快速開�(guān)性能,支持高頻應(yīng)�,降低開�(guān)損��
3. 高可靠性設(shè)�,能夠在極端溫度�(huán)境下�(wěn)定運��
4. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,進一步優(yōu)化了電路性能�
5. 符合 RoHS 標準,綠色環(huán)��
6. �(yōu)秀的熱性能表現(xiàn),有助于散熱管理�
該芯片廣泛應(yīng)用于多種電力電子�(shè)備中,具體包括:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS)�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器�
3. 電機�(qū)動控��
4. 電池管理系統(tǒng) (BMS)�
5. 工業(yè)自動化系�(tǒng)中的功率控制模塊�
6. 太陽能逆變器及儲能解決方案�
7. 電動汽車 (EV) 和混合動力汽� (HEV) 中的電驅(qū)系統(tǒng)�
8. 其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場景�
GA1206A1R0BXEPA31G, IRF1206ZPBF