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GA1206A1R0BXABP31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 14:48:51 查看 閱讀�19

GA1206A1R0BXABP31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高頻開�(guān)�(yīng)用而設(shè)�。該芯片采用先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、快速開�(guān)速度和高效率等特�。它適用于各種電源管理場�,如 DC-DC �(zhuǎn)換器、電池充電器和電機驅(qū)動器��

參數(shù)

型號:GA1206A1R0BXABP31G
  類型:N溝道增強型MOSFET
  最大漏源電壓:60V
  最大連續(xù)漏極電流�12A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.0mΩ
  柵極電荷(典型值)�45nC
  總柵極電荷:70nC
  輸入電容�2800pF
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206A1R0BXABP31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 確保了高效的功率�(zhuǎn)�,并減少了發(fā)熱�
  2. 快速的開關(guān)速度降低了開�(guān)損�,使其非常適合高頻應(yīng)��
  3. 高雪崩擊穿能量提高了器件在異常條件下的可靠性�
  4. �(yōu)異的熱性能允許在緊湊的�(shè)計中使用更高的功率密��
  5. 支持寬范圍的工作溫度,確保在極端�(huán)境下的穩(wěn)定��
  6. 封裝堅固耐用,適合工�(yè)級應(yīng)用需求�

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 工業(yè)電機控制和變頻器�
  3. 電動汽車 (EV) 和混合動力汽� (HEV) 的電池管理系�(tǒng)�
  4. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)�
  5. 高效�(fù)載開�(guān)和保護電��
  6. 各種需要大電流和高效能的功率電子設(shè)��

替代型號

GA1206A1R0BXABP30G, IRF540N, FDP5570N

ga1206a1r0bxabp31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容1 pF
  • 容差±0.1pF
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-