GA1206A1R0BXABP31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高頻開�(guān)�(yīng)用而設(shè)�。該芯片采用先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、快速開�(guān)速度和高效率等特�。它適用于各種電源管理場�,如 DC-DC �(zhuǎn)換器、電池充電器和電機驅(qū)動器��
型號:GA1206A1R0BXABP31G
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏極電流�12A
�(dǎo)通電阻(典型值)�1.0mΩ
柵極電荷(典型值)�45nC
總柵極電荷:70nC
輸入電容�2800pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
GA1206A1R0BXABP31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 確保了高效的功率�(zhuǎn)�,并減少了發(fā)熱�
2. 快速的開關(guān)速度降低了開�(guān)損�,使其非常適合高頻應(yīng)��
3. 高雪崩擊穿能量提高了器件在異常條件下的可靠性�
4. �(yōu)異的熱性能允許在緊湊的�(shè)計中使用更高的功率密��
5. 支持寬范圍的工作溫度,確保在極端�(huán)境下的穩(wěn)定��
6. 封裝堅固耐用,適合工�(yè)級應(yīng)用需求�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 工業(yè)電機控制和變頻器�
3. 電動汽車 (EV) 和混合動力汽� (HEV) 的電池管理系�(tǒng)�
4. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)�
5. 高效�(fù)載開�(guān)和保護電��
6. 各種需要大電流和高效能的功率電子設(shè)��
GA1206A1R0BXABP30G, IRF540N, FDP5570N