GA1206A182KBABT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,屬于溝道型增強(qiáng)模式器件。該芯片廣泛�(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動等�(lǐng)�,具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點�
該型號采用先�(jìn)的制造工�,優(yōu)化了開關(guān)特性和�(dǎo)通特�,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)的整體性能�
最大漏源電壓:60V
最大連續(xù)漏極電流�180A
�(dǎo)通電阻:1.8mΩ
柵極電荷�75nC
開關(guān)時間:ton=9ns, toff=15ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
GA1206A182KBABT31G具備出色的電氣性能,其主要特性如下:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可顯著降低傳導(dǎo)損耗,適用于大電流�(yīng)��
2. 快速開�(guān)速度,有助于減少開關(guān)損耗并提高高頻�(yīng)用中的效��
3. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性,在高溫環(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能�
4. 高度可靠的封裝設(shè)計,適合�(yán)苛的工作條件�
5. �(nèi)置ESD保護(hù)電路,增�(qiáng)了器件的抗靜電能��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全�
這款功率MOSFET適用于多種工�(yè)及消費類電子�(lǐng)�,典型應(yīng)用包括:
1. 開關(guān)電源和適配器�
2. 電動工具和家用電器的電機(jī)�(qū)��
3. DC-DC�(zhuǎn)換器和逆變��
4. 大功率LED�(qū)動器�
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS��
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模塊�
GA1206A182KBAFT31G
IRFP2907
FDP18N60