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GA1206A182FBBBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 4:24:17 查看 閱讀�11

GA1206A182FBBBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)等場(chǎng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠在高頻開關(guān)條件下保持良好的性能�
  該器件主要設(shè)�(jì)用于需要高效能功率�(zhuǎn)換的�(yīng)用中,能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)的整體效��

參數(shù)

型號(hào):GA1206A182FBBBR31G
  類型:N-Channel MOSFET
  封裝形式:TO-220AB
  最大漏源電壓(Vds):60V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):50A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):4mΩ
  總功耗(Ptot):150W
  工作溫度范圍�-55� to +175�
  存儲(chǔ)溫度范圍�-65� to +175�

特�

GA1206A182FBBBR31G 具備以下�(guān)鍵特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
  3. �(qiáng)大的雪崩能力,提高了在異常條件下的可靠��
  4. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的抗靜電能力�
  5. 熱穩(wěn)定性好,能夠在高溫�(huán)境下�(zhǎng)期可靠運(yùn)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
  這些特點(diǎn)使得 GA1206A182FBBBR31G 成為各種高功率密度應(yīng)用的理想選擇�

�(yīng)�

該芯片適用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換模塊�
  2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)及控制電��
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開�(guān)�
  4. 通信�(shè)備中� DC/DC �(zhuǎn)換器�
  5. 汽車電子中的大電流開�(guān)�
  6. 可再生能源系�(tǒng)中的逆變器和功率�(diào)節(jié)��
  由于其強(qiáng)大的電流承載能力和高效的能量�(zhuǎn)換性能,GA1206A182FBBBR31G 在各類高功率�(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出色�

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP50NF06
  FDP5500
  AO3400

ga1206a182fbbbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容1800 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-