GA1206A182FBBBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載開�(guān)等場(chǎng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠在高頻開關(guān)條件下保持良好的性能�
該器件主要設(shè)�(jì)用于需要高效能功率�(zhuǎn)換的�(yīng)用中,能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)的整體效��
型號(hào):GA1206A182FBBBR31G
類型:N-Channel MOSFET
封裝形式:TO-220AB
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):50A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):4mΩ
總功耗(Ptot):150W
工作溫度范圍�-55� to +175�
存儲(chǔ)溫度范圍�-65� to +175�
GA1206A182FBBBR31G 具備以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
3. �(qiáng)大的雪崩能力,提高了在異常條件下的可靠��
4. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的抗靜電能力�
5. 熱穩(wěn)定性好,能夠在高溫�(huán)境下�(zhǎng)期可靠運(yùn)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
這些特點(diǎn)使得 GA1206A182FBBBR31G 成為各種高功率密度應(yīng)用的理想選擇�
該芯片適用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換模塊�
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)及控制電��
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開�(guān)�
4. 通信�(shè)備中� DC/DC �(zhuǎn)換器�
5. 汽車電子中的大電流開�(guān)�
6. 可再生能源系�(tǒng)中的逆變器和功率�(diào)節(jié)��
由于其強(qiáng)大的電流承載能力和高效的能量�(zhuǎn)換性能,GA1206A182FBBBR31G 在各類高功率�(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出色�
IRFZ44N
STP50NF06
FDP5500
AO3400