您好，歡迎來到維庫電子市場網(wǎng)
登錄 | 免費(fèi)注冊(cè)
時(shí)間：2025/5/23 10:24:29
閱讀：10
GA1206A181KXCBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和工業(yè)控制等領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝，具備低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn)，能夠顯著提升系統(tǒng)的效率和可靠性。
該器件適用于高頻率切換應(yīng)用場合，其封裝設(shè)計(jì)優(yōu)化了散熱性能，確保在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。同時(shí)，它還具有出色的抗干擾能力和過流保護(hù)功能，進(jìn)一步增強(qiáng)了產(chǎn)品的安全性和耐用性。
型號(hào)：GA1206A181KXCBR31G
類型：N-Channel MOSFET
漏源極耐壓(Vdss)：120V
連續(xù)漏極電流(Id)：60A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：1.8mΩ
柵極電荷(Qg)：75nC
工作溫度范圍：-55℃ to +175℃
封裝形式：TO-247
GA1206A181KXCBR31G 的主要特性包括：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），僅為 1.8 毫歐姆，在大電流應(yīng)用中可有效降低功耗。
2. 高速開關(guān)性能，適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
3. 強(qiáng)大的熱性能表現(xiàn)，通過優(yōu)化的封裝設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)更高效的散熱。
4. 寬廣的工作溫度范圍，適應(yīng)極端氣候條件下的使用需求。
5. 內(nèi)置過流保護(hù)功能，提高了系統(tǒng)的可靠性和安全性。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源(SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
2. 工業(yè)設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路。
3. 太陽能逆變器以及其他可再生能源系統(tǒng)。
4. 電動(dòng)車及混合動(dòng)力汽車的動(dòng)力管理系統(tǒng)。
5. 充電器和不間斷電源(UPS) 系統(tǒng)。
6. 各種需要高效功率處理的應(yīng)用場景。
GA1206A182KXCBR31G, IRFZ44N, FDP5500
