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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206A181KBABT31G

GA1206A181KBABT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/28 9:59:32 查看 閱讀�13

GA1206A181KBABT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。其封裝形式緊湊,適合對(duì)空間有嚴(yán)格要求的�(shè)�(jì)�(chǎng)��
  該型�(hào)中的具體參數(shù)可能因制造商而略有不�,但整體性能�(yōu)�,適用于中高功率的應(yīng)用環(huán)��

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�18A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.8mΩ(典型�,于Vgs=10V�(shí)�
  總功�(Ptot)�75W
  �(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-263-3

特�

GA1206A181KBABT31G的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電�,在高電流應(yīng)用中顯著降低功��
  2. 高速開�(guān)性能,可支持高頻工作�(huán)境,減少電磁干擾(EMI)�
  3. �(qiáng)大的雪崩能力,提高了器件在異常情況下的耐受��
  4. 緊湊型封裝設(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間�
  5. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境下可靠�(yùn)��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�

�(yīng)�

這款MOSFET芯片適用于多種電子電�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)管�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流管或降壓/升壓控制��
  3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)與保�(hù)電路�
  5. 工業(yè)控制�(shè)備中的功率調(diào)節(jié)與信�(hào)隔離�
  6. 各類電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制開�(guān)�

替代型號(hào)

IRF540N
  STP18NF50
  FDP18N50

ga1206a181kbabt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容180 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-