GA1206A181KBABT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開�(guān)等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。其封裝形式緊湊,適合對(duì)空間有嚴(yán)格要求的�(shè)�(jì)�(chǎng)��
該型�(hào)中的具體參數(shù)可能因制造商而略有不�,但整體性能�(yōu)�,適用于中高功率的應(yīng)用環(huán)��
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�18A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.8mΩ(典型�,于Vgs=10V�(shí)�
總功�(Ptot)�75W
�(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+175�
封裝形式:TO-263-3
GA1206A181KBABT31G的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電�,在高電流應(yīng)用中顯著降低功��
2. 高速開�(guān)性能,可支持高頻工作�(huán)境,減少電磁干擾(EMI)�
3. �(qiáng)大的雪崩能力,提高了器件在異常情況下的耐受��
4. 緊湊型封裝設(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間�
5. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性,能夠在高溫環(huán)境下可靠�(yùn)��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
這款MOSFET芯片適用于多種電子電�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)管�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流管或降壓/升壓控制��
3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載開�(guān)與保�(hù)電路�
5. 工業(yè)控制�(shè)備中的功率調(diào)節(jié)與信�(hào)隔離�
6. 各類電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制開�(guān)�
IRF540N
STP18NF50
FDP18N50