GA1206A181JBEBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換等�(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的溝槽式 MOSFET 技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),從而提高了整體系統(tǒng)效率�
此芯片在�(shè)�(jì)上優(yōu)化了柵極電荷和輸出電�,以確保在高頻工作條件下保持良好的性能表現(xiàn)。此�,它還具備出色的熱特性和可靠�,能夠在�(yán)苛的工作�(huán)境中�(wěn)定運(yùn)��
型號(hào):GA1206A181JBEBR31G
類型:N-Channel MOSFET
漏源電壓(Vds)�60V
連續(xù)漏極電流(Id)�32A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.5mΩ
柵極電荷(Qg)�74nC
總柵極電�(Qg_total)�90nC
功�(Ptot)�20W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高額定電流能� (Id),適合大功率�(yīng)用場(chǎng)��
3. 快速開�(guān)特性,能夠有效減少開關(guān)損��
4. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)抗靜電能��
5. 小型封裝�(shè)�(jì),便� PCB 布局和散熱管��
6. 支持寬范圍的工作溫度,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境下的使用需��
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 的主開關(guān)管或同步整流管�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
3. DC-DC �(zhuǎn)換器中的高頻開關(guān)元件�
4. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的大電流負(fù)載切��
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模��
6. LED 照明�(qū)�(dòng)電路中的功率開關(guān)�
IRF3710,
STP32NF60,
FDP5600