GA1206A181JBABT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)�。該芯片采用了先�(jìn)的溝槽式 MOSFET 技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠��
該器件屬� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,適合于高頻�(yīng)用場(chǎng)�,其封裝形式� TO-263(D2PAK�,具備良好的散熱性能和電氣特��
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�45A
�(dǎo)通電阻(典型值)�2.5mΩ
柵極電荷�75nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:�(kāi)通延遲時(shí)� 25ns,關(guān)斷延遲時(shí)� 18ns
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
封裝形式:TO-263(D2PAK�
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))確保了在高電流�(yīng)用中的高效能量轉(zhuǎn)換�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力使其適用于高頻功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)��
3. 具有出色的熱�(wěn)定性和電氣�(wěn)定�,能夠在惡劣�(huán)境下�(zhǎng)期運(yùn)行�
4. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的魯棒性�
5. 小巧的封裝尺寸和大電流承載能力使得設(shè)�(jì)更加緊湊靈活�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)�,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的�(huán)保要��
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主功率�(kāi)�(guān)��
2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
3. 各類(lèi) DC-DC �(zhuǎn)換器和升降壓模塊�
4. 電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽�(chē)中的電池管理系統(tǒng)(BMS)�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載控制和功率管理�
6. LED �(qū)�(dòng)電源和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)景�
IRFZ44N, FDP5500, AO6602