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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206A181JBABT31G

GA1206A181JBABT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 16:13:26 查看 閱讀�21

GA1206A181JBABT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)�。該芯片采用了先�(jìn)的溝槽式 MOSFET 技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和可靠��
  該器件屬� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,適合于高頻�(yīng)用場(chǎng)�,其封裝形式� TO-263(D2PAK�,具備良好的散熱性能和電氣特��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�45A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�2.5mΩ
  柵極電荷�75nC
  �(kāi)�(guān)�(shí)間:�(kāi)通延遲時(shí)� 25ns,關(guān)斷延遲時(shí)� 18ns
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝形式:TO-263(D2PAK�

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on))確保了在高電流�(yīng)用中的高效能量轉(zhuǎn)換�
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力使其適用于高頻功率轉(zhuǎn)換場(chǎng)��
  3. 具有出色的熱�(wěn)定性和電氣�(wěn)定�,能夠在惡劣�(huán)境下�(zhǎng)期運(yùn)行�
  4. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的魯棒性�
  5. 小巧的封裝尺寸和大電流承載能力使得設(shè)�(jì)更加緊湊靈活�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)�,滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的�(huán)保要��

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主功率�(kāi)�(guān)��
  2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
  3. 各類(lèi) DC-DC �(zhuǎn)換器和升降壓模塊�
  4. 電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽�(chē)中的電池管理系統(tǒng)(BMS)�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載控制和功率管理�
  6. LED �(qū)�(dòng)電源和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)景�

替代型號(hào)

IRFZ44N, FDP5500, AO6602

ga1206a181jbabt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容180 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-