時間：2025/5/28 21:00:51
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GA1206A180KBEBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，專為高效率開關(guān)應(yīng)用設(shè)計。該器件采用先進的制造工藝，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，能夠顯著提高系統(tǒng)效率并降低能耗。
其主要應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動以及各種需要高效能功率轉(zhuǎn)換的場景中。
型號：GA1206A180KBEBR31G
類型：N-Channel MOSFET
封裝：TO-252 (DPAK)
VDS（漏源極電壓）：60V
RDS(on)（導通電阻）：18mΩ（典型值，VGS=10V時）
ID（連續(xù)漏電流）：40A
Qg（柵極電荷）：19nC
fT（截止頻率）：1.7MHz
工作溫度范圍：-55℃ to +150℃
GA1206A180KBEBR31G 具有以下關(guān)鍵特性：
1. 極低的導通電阻，可有效減少功率損耗，提高整體系統(tǒng)效率。
2. 快速開關(guān)速度，有助于降低開關(guān)損耗。
3. 較高的電流承載能力，適用于大功率應(yīng)用環(huán)境。
4. 緊湊型封裝，便于在空間受限的設(shè)計中使用。
5. 寬工作溫度范圍，確保在極端條件下仍能穩(wěn)定運行。
6. 符合 RoHS 標準，環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC/DC 轉(zhuǎn)換器，用于提升轉(zhuǎn)換效率。
3. 電機驅(qū)動電路，提供高效的功率控制。
4. LED 驅(qū)動器，支持高亮度 LED 的恒流供電。
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率管理模塊。
6. 消費類電子產(chǎn)品的適配器與充電器解決方案。
IRFZ44N, FDP5800, AO3400
