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GA1206A151KXBBR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/19 17:36:32 查看 閱讀�21

GA1206A151KXBBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于高效率開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機�(qū)動等�(yīng)用。該芯片采用先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,能夠在高頻工作條件下提供卓越的性能�
  此型號屬� GaN(氮化鎵)技�(shù)系列,與傳統(tǒng)硅基 MOSFET 相比,其開關(guān)損耗更�,工作頻率更高,有助于設(shè)計更緊湊、更高效的電力電子設(shè)��

參數(shù)

類型:增強型功率 MOSFET
  材料:GaN(氮化鎵�
  最大漏源電壓:650 V
  最大連續(xù)漏極電流�15 A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�150 mΩ
  柵極電荷(Qg):45 nC
  反向恢復(fù)時間(trr):< 20 ns
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206A151KXBBR31G 的主要特性包括:
  1. 高耐壓能力:支持高� 650V 的漏源電�,適用于各種高壓�(yīng)用場��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻:典型值為 150mΩ,能夠顯著降低導(dǎo)通損耗�
  3. 快速開�(guān)速度:極小的柵極電荷和反向恢�(fù)時間,使器件在高頻操作下表現(xiàn)出色�
  4. 高效率:由于其低損耗特�,可以實�(xiàn)更高的轉(zhuǎn)換效��
  5. 緊湊�(shè)計:相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET,使� GaN 技�(shù)可減少系�(tǒng)尺寸和重量�
  6. �(wěn)定性:具有良好的熱特性和可靠�,適用于工業(yè)級和消費級產(chǎn)品�

�(yīng)�

GA1206A151KXBBR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電機�(qū)動:用于高效控制電機速度和方向�
  3. 太陽能逆變器:提升能量�(zhuǎn)換效��
  4. 充電器:例如快充適配�,提供更快的充電速度�
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備:如機器人控制和工�(yè)電源模塊�
  6. 汽車電子:新能源汽車中的 DC-DC �(zhuǎn)換和車載充電系統(tǒng)�

替代型號

GA1206A150KXBBR31G, GA1206A161KXBBR31G

ga1206a151kxbbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容150 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-