GA1206A151KXBBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于高效率開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器以及電機�(qū)動等�(yīng)用。該芯片采用先進的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,能夠在高頻工作條件下提供卓越的性能�
此型號屬� GaN(氮化鎵)技�(shù)系列,與傳統(tǒng)硅基 MOSFET 相比,其開關(guān)損耗更�,工作頻率更高,有助于設(shè)計更緊湊、更高效的電力電子設(shè)��
類型:增強型功率 MOSFET
材料:GaN(氮化鎵�
最大漏源電壓:650 V
最大連續(xù)漏極電流�15 A
�(dǎo)通電阻(典型值)�150 mΩ
柵極電荷(Qg):45 nC
反向恢復(fù)時間(trr):< 20 ns
封裝形式:TO-247
GA1206A151KXBBR31G 的主要特性包括:
1. 高耐壓能力:支持高� 650V 的漏源電�,適用于各種高壓�(yīng)用場��
2. 極低的導(dǎo)通電阻:典型值為 150mΩ,能夠顯著降低導(dǎo)通損耗�
3. 快速開�(guān)速度:極小的柵極電荷和反向恢�(fù)時間,使器件在高頻操作下表現(xiàn)出色�
4. 高效率:由于其低損耗特�,可以實�(xiàn)更高的轉(zhuǎn)換效��
5. 緊湊�(shè)計:相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET,使� GaN 技�(shù)可減少系�(tǒng)尺寸和重量�
6. �(wěn)定性:具有良好的熱特性和可靠�,適用于工業(yè)級和消費級產(chǎn)品�
GA1206A151KXBBR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機�(qū)動:用于高效控制電機速度和方向�
3. 太陽能逆變器:提升能量�(zhuǎn)換效��
4. 充電器:例如快充適配�,提供更快的充電速度�
5. 工業(yè)自動化設(shè)備:如機器人控制和工�(yè)電源模塊�
6. 汽車電子:新能源汽車中的 DC-DC �(zhuǎn)換和車載充電系統(tǒng)�
GA1206A150KXBBR31G, GA1206A161KXBBR31G