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GA1206A151KBEBT31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 16:11:16 查看 閱讀�23

GA1206A151KBEBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,屬� GaN(氮化鎵)基材料制成的電子元器件。該芯片主要�(yīng)用于高頻、高效率的電源管理場景中,例如開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器和逆變器等。由于其低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率并減少熱損��
  相比傳統(tǒng)的硅� MOSFET,GaN 器件具有更高的電子遷移率和更低的寄生電容,這使� GA1206A151KBEBT31G 在高頻工作條件下表現(xiàn)尤為出色�

參數(shù)

類型:功率MOSFET
  材料:GaN(氮化鎵�
  最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�15A
  �(dǎo)通電阻:150mΩ
  柵極電荷�25nC
  開關(guān)頻率:高�(dá)5MHz
  封裝形式:TO-247

特�

GA1206A151KBEBT31G 的主要特性包括:
  1. 高擊穿電壓能力,支持高達(dá) 650V 的漏源電�,適用于多種高壓�(yīng)用場景�
  2. 極低的導(dǎo)通電阻,僅為 150mΩ,能夠降低導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率�
  3. 快速的開關(guān)速度,得益于低柵極電荷設(shè)計,支持高達(dá) 5MHz 的開�(guān)頻率�
  4. 出色的熱性能,結(jié)合高效的散熱�(shè)�,可大幅減少熱量積累�
  5. 更小的寄生電感和電容,從而減少了開關(guān)過程中的振鈴和電磁干��
  6. 可靠性高,適合長時間在嚴(yán)苛環(huán)境下運行,滿足工�(yè)級或汽車級應(yīng)用需��

�(yīng)�

該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. 太陽能逆變�
  4. 電動車充電設(shè)�
  5. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�
  6. 通信基站電源
  7. 其他需要高效能量轉(zhuǎn)換的電力電子系統(tǒng)

替代型號

GAX1206B152KCGBT28G
  GAN061-650WSA
  TPG15065U

ga1206a151kbebt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容150 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-