GA1206A151JBLBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率、高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)��
該型�(hào)屬于溝道型MOSFET系列,其卓越的電氣性能使其成為眾多工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)品的理想選擇�
類型:N溝道 MOSFET
漏源極電�(Vds)�120V
連續(xù)漏極電流(Id)�6A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�150mΩ
柵極電荷(Qg)�45nC
總功�(Ptot)�27W
工作溫度范圍�-55� to +150�
封裝形式:TO-220
GA1206A151JBLBR31G具備以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)能力,能夠適�(yīng)高頻工作�(chǎng)景,減少�(kāi)�(guān)損��
3. 高耐壓性能,支持高�(dá)120V的工作電�,適用于多種高壓�(yīng)用場(chǎng)��
4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性,能夠在較寬的溫度范圍�(nèi)保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
5. 小巧的封裝設(shè)�(jì),便于在有限空間�(nèi)�(jìn)行布局和安裝�
該型�(hào)的典型應(yīng)用領(lǐng)域包括:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率�(kāi)�(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心元��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
4. 各類�(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
5. 能量回收系統(tǒng)中的高效能量�(zhuǎn)換組��
IRFZ44N
STP120NF10L
FDP150AN
AO3400