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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206A151JBABT31G

GA1206A151JBABT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/16 16:58:33 查看 閱讀�19

GA1206A151JBABT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和可靠性�
  這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型器�,適合在高頻和大電流的應(yīng)用場(chǎng)景中使用。其封裝形式�(jīng)過優(yōu)化設(shè)�(jì),具備良好的散熱特性和電氣性能�

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電�(Vdss)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�150A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ(典型值,@Vgs=10V�
  柵極電荷(Qg)�85nC
  開關(guān)頻率:高�(dá)1MHz
  �(jié)溫范圍:-55℃至+175�
  封裝形式:TO-247-3

特�

GA1206A151JBABT31G 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),可有效降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)性能,支持高頻工作環(huán)�,減少磁性元件體��
  3. �(yōu)秀的熱性能,確保在高電流和高功率應(yīng)用場(chǎng)景下的穩(wěn)定��
  4. �(qiáng)大的抗浪涌能�,能夠承受瞬�(shí)高電流沖��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠�
  6. 支持表面貼裝和插件封裝,便于不同�(shè)�(jì)需求的選擇�
  這些特點(diǎn)使得該器件非常適合用于工�(yè)�(jí)和消�(fèi)�(jí)電子�(chǎn)品中的高效功率轉(zhuǎn)換和控制電路�

�(yīng)�

GA1206A151JBABT31G 的典型應(yīng)用包括:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � AC-DC 適配器�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器和降�/升壓電路�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器控��
  4. 太陽(yáng)能微逆變器和其他可再生能源應(yīng)用�
  5. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護(hù)電路�
  6. 高效�(fù)載開�(guān)和功率管理模��
  由于其出色的性能和可靠性,這款 MOSFET 在各類電力電子設(shè)備中得到廣泛�(yīng)��

替代型號(hào)

GA1206A151JBACT31G, IRF1405Z, CSD18536KTT

ga1206a151jbabt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容150 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-