GA1206A150KBLBR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率開�(guān)器件,適用于高頻、高效率電源�(zhuǎn)換應(yīng)�。該芯片采用了先進的增強� GaN 技�(shù),能夠顯著提升系�(tǒng)的功率密度和效率,同時降低熱損耗。其封裝形式為表面貼裝類�,適合自動化生產(chǎn)�(huán)��
該型號是針對工業(yè)、通信和消費電子市場設(shè)計的,廣泛應(yīng)用于 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器、適配器、無線充電器以及 LED �(qū)動器等場��
額定電壓�650V
連續(xù)漏極電流�150A
Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�15mΩ
柵極�(qū)動電壓:4V � 8V
�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
封裝形式:LGA
輸出電容(Coss):90pF
輸入電容(Ciss):2500pF
反向恢復(fù)時間(trr):40ns
GA1206A150KBLBR31G 具有卓越的電氣性能,主要特點包括:
1. 高擊穿電壓(650V�,支持廣泛的電壓輸入范圍,尤其適合高電壓�(yīng)用場��
2. 極低的導(dǎo)通電阻(15mΩ�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)速度和低寄生電容,使得在高頻條件下依然保持高效運��
4. 增強的安全工作區(qū)(SOA),保證了器件在動態(tài)負載條件下的可靠��
5. 熱穩(wěn)定性優(yōu)�,能夠在極端溫度范圍�(nèi)正常工作�
6. �(nèi)置保護功�,例如過流保護和短路保護,增強了器件的魯棒��
此外,由于采用了 GaN 材料,這款芯片相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET 在效率和尺寸上均有明顯優(yōu)��
GA1206A150KBLBR31G 主要用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):如筆記本電腦適配�、服�(wù)器電源和電信整流模塊�
2. 無線充電�(shè)備:提供更高的能量傳輸效��
3. 功率因數(shù)校正(PFC)電路:實現(xiàn)更高效的功率管理�
4. 電動工具和家用電器中的電機驅(qū)動器�
5. 新能源汽車的車載充電器(OBC)及 DC-DC �(zhuǎn)換器�
6. LED 照明�(qū)動器:支持大功率 LED �(yīng)用場��
憑借其出色的性能,該芯片特別適合需要高頻率、高效率和小體積解決方案的應(yīng)用場合�
GAN064-650WSA
GAN063-650WSB
STGAP100
Infineon IPW60R060C6