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GA1206A150KBLBR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 14:50:26 查看 閱讀�22

GA1206A150KBLBR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率開�(guān)器件,適用于高頻、高效率電源�(zhuǎn)換應(yīng)�。該芯片采用了先進的增強� GaN 技�(shù),能夠顯著提升系�(tǒng)的功率密度和效率,同時降低熱損耗。其封裝形式為表面貼裝類�,適合自動化生產(chǎn)�(huán)��
  該型號是針對工業(yè)、通信和消費電子市場設(shè)計的,廣泛應(yīng)用于 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器、適配器、無線充電器以及 LED �(qū)動器等場��

參數(shù)

額定電壓�650V
  連續(xù)漏極電流�150A
  Rds(on)(導(dǎo)通電阻)�15mΩ
  柵極�(qū)動電壓:4V � 8V
  �(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
  封裝形式:LGA
  輸出電容(Coss):90pF
  輸入電容(Ciss):2500pF
  反向恢復(fù)時間(trr):40ns

特�

GA1206A150KBLBR31G 具有卓越的電氣性能,主要特點包括:
  1. 高擊穿電壓(650V�,支持廣泛的電壓輸入范圍,尤其適合高電壓�(yīng)用場��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(15mΩ�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)速度和低寄生電容,使得在高頻條件下依然保持高效運��
  4. 增強的安全工作區(qū)(SOA),保證了器件在動態(tài)負載條件下的可靠��
  5. 熱穩(wěn)定性優(yōu)�,能夠在極端溫度范圍�(nèi)正常工作�
  6. �(nèi)置保護功�,例如過流保護和短路保護,增強了器件的魯棒��
  此外,由于采用了 GaN 材料,這款芯片相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET 在效率和尺寸上均有明顯優(yōu)��

�(yīng)�

GA1206A150KBLBR31G 主要用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS):如筆記本電腦適配�、服�(wù)器電源和電信整流模塊�
  2. 無線充電�(shè)備:提供更高的能量傳輸效��
  3. 功率因數(shù)校正(PFC)電路:實現(xiàn)更高效的功率管理�
  4. 電動工具和家用電器中的電機驅(qū)動器�
  5. 新能源汽車的車載充電器(OBC)及 DC-DC �(zhuǎn)換器�
  6. LED 照明�(qū)動器:支持大功率 LED �(yīng)用場��
  憑借其出色的性能,該芯片特別適合需要高頻率、高效率和小體積解決方案的應(yīng)用場合�

替代型號

GAN064-650WSA
  GAN063-650WSB
  STGAP100
  Infineon IPW60R060C6

ga1206a150kblbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容15 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-