GA1206A121KXBBR31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,主要應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器以及其他功率轉(zhuǎn)換電路中。該器件采用了先�(jìn)的溝槽式工藝制�,具備低�(dǎo)通電阻、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能�
其封裝形式為 TO-263(D2PAK�,具有較高的電流處理能力和良好的散熱特�,適用于工業(yè)�(jí)和消�(fèi)�(jí)�(yīng)用�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�120A
�(dǎo)通電阻:1.2mΩ
柵極電荷�95nC
輸入電容�4000pF
�(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=75ns, toff=45ns
�(jié)溫范圍:-55� � +175�
這款 MOSFET 的主要特�(diǎn)是低�(dǎo)通電�,能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
此外,它還具備高電流承載能力以及快速開(kāi)�(guān)性能,這使得它非常適合高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)��
GA1206A121KXBBR31G 的封裝設(shè)�(jì)提供了優(yōu)異的散熱性能,可以有效提升器件在高負(fù)載條件下的穩(wěn)定性�
同時(shí),該器件還支持寬范圍的工作溫度,從而適�(yīng)各種�(yán)苛環(huán)境下的使用需��
該元器件廣泛用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、AC-DC �(kāi)�(guān)電源、不間斷電源 (UPS)、太�(yáng)能逆變�、電�(dòng)�(chē)控制器、電�(jī)�(qū)�(dòng)電路等領(lǐng)域�
由于其出色的電氣特性和可靠�,GA1206A121KXBBR31G 成為了許多大功率電子�(shè)備的理想選擇�
IRF7845, FDP150N06L, STP120NF06