GA1206A121KBEBR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動和負載開關(guān)等場�。該器件采用了先進的制造工藝,具有低導通電�、高電流處理能力和快速開�(guān)速度的特點。其封裝形式為行�(yè)標準的表面貼裝類�,適合自動化生產(chǎn)流程�
型號:GA1206A121KBEBR31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵極驅(qū)動電�(Vgs):�20V
持續(xù)漏極電流(Id)�120A
導通電�(Rds(on))�1.2mΩ
總功�(Ptot)�240W
工作溫度范圍(Ta)�-55°C to +175°C
封裝形式:TO-247-3
GA1206A121KBEBR31G具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電�,能夠有效減少功率損耗�
2. 高電流承載能�,適用于大功率應(yīng)用場��
3. 快速開�(guān)性能,有助于提高系統(tǒng)效率并降低電磁干�(EMI)�
4. 寬泛的工作溫度范圍,確保在極端環(huán)境下的可靠��
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
6. �(yōu)化的熱設(shè)�,提升了散熱性能�
這款MOSFET廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(lǐng)�,包括但不限于以下場景:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件�
3. 電動工具和家用電器中的電機驅(qū)動電��
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載開�(guān)和保護電路�
5. 新能源領(lǐng)域如太陽能逆變器和電動車充電系�(tǒng)的功率管理模��
IRFP2907ZPBF, STP120N06Z, FDP18N06L