GA1206A121JBEBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和DC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。該芯片采用了先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn),能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和可靠性。
該器件屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,適用于多種工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域。其封裝形式為表面貼裝類型,便于自動(dòng)化生產(chǎn)和焊接。
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流:120A
導(dǎo)通電阻:1.2mΩ
柵極電荷:85nC
總電容:4200pF
功耗:144W
工作溫度范圍:-55℃ to 175℃
1. 超低導(dǎo)通電阻,有效減少導(dǎo)通損耗。
2. 高電流承載能力,支持大功率應(yīng)用。
3. 快速開關(guān)特性,降低開關(guān)損耗。
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在極端溫度環(huán)境下可靠運(yùn)行。
5. 小型化封裝設(shè)計(jì),節(jié)省PCB空間。
6. 內(nèi)置ESD保護(hù)功能,提升抗靜電能力。
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管。
2. 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的功率級(jí)元件。
3. 高效DC-DC轉(zhuǎn)換器的核心功率器件。
4. 汽車電子系統(tǒng)中的負(fù)載開關(guān)。
5. 大功率LED驅(qū)動(dòng)電路中的調(diào)節(jié)器。
6. 各類消費(fèi)電子產(chǎn)品中的功率管理模塊。
GA1206A121JBEAT31G, IRFZ44N, FDP15U60A