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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206A121GXLBR31G

GA1206A121GXLBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/22 20:59:42 查看 閱讀�15

GA1206A121GXLBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和負(fù)載切換等�(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的溝槽式 MOSFET 技�(shù),具有低�(dǎo)通電�、高效率和出色的熱性能。其封裝形式� TO-252,適合表面貼裝工藝,能夠滿足緊湊型設(shè)�(jì)的需��
  該器件的主要特點(diǎn)是其卓越的電氣特性和可靠性,能夠在高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用中提供�(wěn)定的性能表現(xiàn)�

參數(shù)

型號(hào):GA1206A121GXLBR31G
  �(lèi)型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(VDS)�60V
  最大柵源電�(VGS):�20V
  連續(xù)漏極電流(ID)�12A
  �(dǎo)通電�(RDS(on))�1.2mΩ
  總功�(PD)�78W
  工作溫度范圍(TA)�-55°C � +150°C
  封裝形式:TO-252

特�

GA1206A121GXLBR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)),可以有效降低傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 高速開(kāi)�(guān)性能,具備低輸入電容和快速開(kāi)�(guān)�(shí)�,非常適合高頻應(yīng)��
  3. 出色的熱�(wěn)定性,通過(guò)�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)�(shí)�(xiàn)高效的散熱性能�
  4. �(qiáng)大的抗雪崩能力,確保在異常條件下仍能可靠�(yùn)��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且支持�(wú)鉛焊接工��
  6. 小型化的封裝�(shè)�(jì),節(jié)省電路板空間,便于高密度�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

GA1206A121GXLBR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換級(jí)�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器中的功率輸出級(jí)�
  3. 汽車(chē)電子�(shè)備中的負(fù)載切換控��
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的繼電器替代方案�
  5. 電池管理系統(tǒng)中的保護(hù)和均衡功��
  6. 各類(lèi) DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開(kāi)�(guān)或同步整流元件�

替代型號(hào)

GA1206A121GXLBR32G, IRFZ44N, FDP15N60C

ga1206a121gxlbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容120 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定630V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-