GA1206A121GBEBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,采用先進的制造工藝設(shè)計。該器件具有低導通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,適用于各種高效能電源管理應�。其封裝形式� TO-252,能夠有效提高電路的效率并減少功率損��
該芯片廣泛用� DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)�、負載開�(guān)等場�,憑借其可靠的性能和耐用�,成為許多設(shè)計工程師的首選方案�
型號:GA1206A121GBEBR31G
類型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源電壓)�60V
RDS(on)(導通電阻)�12mΩ
IDS(連續(xù)漏極電流):31A
VGS(柵源電壓):�20V
總功耗:240W
工作溫度范圍�-55� to +175�
封裝:TO-252
GA1206A121GBEBR31G 的主要特點是具備非常低的導通電�,這有助于減少功率損�,并提升整體系統(tǒng)的效�。此外,它還擁有較高的漏極電流承載能�,使其適合需要大電流的應用環(huán)境。芯片的快速開�(guān)性能確保了在高頻工作條件下的�(wěn)定表�(xiàn)�
同時,這款 MOSFET 在熱管理和電磁兼容性方面也有出色的表現(xiàn),能夠在極端溫度范圍�(nèi)保持良好的可靠�。其緊湊的封裝形式也使得它非常適合空間受限的�(shè)計�
GA1206A121GBEBR31G 主要應用于以下領(lǐng)域:
- 開關(guān)電源(SMPS�
- 直流-直流�(zhuǎn)換器
- 電機�(qū)動和控制
- 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載開�(guān)
- LED �(qū)動電�
- 消費類電子產(chǎn)品的電源管理系統(tǒng)
由于其高效的功率處理能力和寬泛的工作溫度范圍,該芯片尤其適合工業(yè)和汽車領(lǐng)域中對性能要求較高的應用�
IRFZ44N
FDP5800
STP160N10F5