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GA1206A121GBBBR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/21 11:13:27 查看 閱讀:6

GA1206A121GBBBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。該芯片采用了先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻、高效率和優(yōu)異的熱性能。其封裝形式和電氣特性使其特別適合需要高電流承載能力的應(yīng)用環(huán)境。
  該型號(hào)屬于溝道增強(qiáng)型 MOSFET 系列,具有快速開(kāi)關(guān)速度和較低的柵極電荷,有助于降低開(kāi)關(guān)損耗并提高整體系統(tǒng)效率。此外,它還具備良好的短路耐受能力和抗 ESD 性能,從而增強(qiáng)了器件在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性。

參數(shù)

類型:MOSFET
  導(dǎo)電類型:N-channel
  最大漏源電壓(Vdss):120V
  最大連續(xù)漏極電流(Id):65A
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.8mΩ
  柵極電荷(Qg):94nC
  總功耗(Ptot):250W
  工作溫度范圍(Ta):-55°C 至 +175°C
  封裝形式:TO-247-3

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠有效減少傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
  2. 快速的開(kāi)關(guān)速度和較低的柵極電荷,降低了開(kāi)關(guān)損耗。
  3. 高額定電流和電壓值,適用于高功率應(yīng)用場(chǎng)景。
  4. 出色的熱性能設(shè)計(jì),確保了長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。
  5. 提供卓越的短路保護(hù)和抗靜電能力,增強(qiáng)了產(chǎn)品的可靠性。
  6. 寬廣的工作溫度范圍,適應(yīng)各種惡劣環(huán)境條件。

應(yīng)用

1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的主開(kāi)關(guān)管或同步整流管。
  2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換控制。
  4. 新能源汽車及充電設(shè)施中的電力電子轉(zhuǎn)換模塊。
  5. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相關(guān)產(chǎn)品中的功率管理部分。

ga1206a121gbbbr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容120 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-