GA1206A121GBBBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。該芯片采用了先進(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻、高效率和優(yōu)異的熱性能。其封裝形式和電氣特性使其特別適合需要高電流承載能力的應(yīng)用環(huán)境。
該型號(hào)屬于溝道增強(qiáng)型 MOSFET 系列,具有快速開(kāi)關(guān)速度和較低的柵極電荷,有助于降低開(kāi)關(guān)損耗并提高整體系統(tǒng)效率。此外,它還具備良好的短路耐受能力和抗 ESD 性能,從而增強(qiáng)了器件在實(shí)際應(yīng)用中的可靠性。
類型:MOSFET
導(dǎo)電類型:N-channel
最大漏源電壓(Vdss):120V
最大連續(xù)漏極電流(Id):65A
最大柵源電壓(Vgs):±20V
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.8mΩ
柵極電荷(Qg):94nC
總功耗(Ptot):250W
工作溫度范圍(Ta):-55°C 至 +175°C
封裝形式:TO-247-3
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),能夠有效減少傳導(dǎo)損耗,提升系統(tǒng)效率。
2. 快速的開(kāi)關(guān)速度和較低的柵極電荷,降低了開(kāi)關(guān)損耗。
3. 高額定電流和電壓值,適用于高功率應(yīng)用場(chǎng)景。
4. 出色的熱性能設(shè)計(jì),確保了長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 提供卓越的短路保護(hù)和抗靜電能力,增強(qiáng)了產(chǎn)品的可靠性。
6. 寬廣的工作溫度范圍,適應(yīng)各種惡劣環(huán)境條件。
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的主開(kāi)關(guān)管或同步整流管。
2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換控制。
4. 新能源汽車及充電設(shè)施中的電力電子轉(zhuǎn)換模塊。
5. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源相關(guān)產(chǎn)品中的功率管理部分。