GA1206A121FBEBR31G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),主要用于開�(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高耐壓能力,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備以及通信�(lǐng)域中的電源管理和功率控制�(chǎng)��
這款 MOSFET 的封裝形式為 DFN8�2x2mm�,體積小巧且散熱性能�(yōu)異,非常適合空間受限的設(shè)�(jì)�
類型:MOSFET
�(dǎo)電類型:N-Channel
最大漏源電�(V_DS)�30V
最大柵源電�(V_GS):�20V
最大持�(xù)漏極電流(I_D)�10A
�(dǎo)通電�(R_DS(on))�4.5mΩ(典型�,在 V_GS=10V �(shí)�
總功�(P_TOT)�0.7W
�(jié)溫范�(T_J)�-55� � +150�
封裝形式:DFN8�2x2mm�
GA1206A121FBEBR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� R_DS(on),可顯著降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)性能,支持高頻工作場(chǎng)�,適用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)��
3. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間,同�(shí)具備良好的熱管理能力�
4. �(qiáng)大的浪涌能力和穩(wěn)健的 ESD 性能,確保在�(yán)苛環(huán)境下的可靠��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保,滿足�(guó)際法�(guī)要求�
6. 支持表面貼裝技�(shù)(SMT�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和大�(guī)模制造�
� MOSFET 廣泛用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(Switching Power Supplies�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器
3. LED �(qū)�(dòng)電路
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開�(guān)
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
6. 工業(yè)控制及電�(jī)�(qū)�(dòng)
7. 通信�(shè)備中的功率管理模�
8. �(jì)算機(jī)及其外設(shè)中的電源解決方案
GA1206A121FBEBR31G-A, GA1206A121FBEBR31G-B