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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA1206A121FBEBR31G

GA1206A121FBEBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 18:56:42 查看 閱讀�19

GA1206A121FBEBR31G 是一款高性能� MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),主要用于開�(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高耐壓能力,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備以及通信�(lǐng)域中的電源管理和功率控制�(chǎng)��
  這款 MOSFET 的封裝形式為 DFN8�2x2mm�,體積小巧且散熱性能�(yōu)異,非常適合空間受限的設(shè)�(jì)�

參數(shù)

類型:MOSFET
  �(dǎo)電類型:N-Channel
  最大漏源電�(V_DS)�30V
  最大柵源電�(V_GS):�20V
  最大持�(xù)漏極電流(I_D)�10A
  �(dǎo)通電�(R_DS(on))�4.5mΩ(典型�,在 V_GS=10V �(shí)�
  總功�(P_TOT)�0.7W
  �(jié)溫范�(T_J)�-55� � +150�
  封裝形式:DFN8�2x2mm�

特�

GA1206A121FBEBR31G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� R_DS(on),可顯著降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)性能,支持高頻工作場(chǎng)�,適用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)��
  3. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間,同�(shí)具備良好的熱管理能力�
  4. �(qiáng)大的浪涌能力和穩(wěn)健的 ESD 性能,確保在�(yán)苛環(huán)境下的可靠��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)保,滿足�(guó)際法�(guī)要求�
  6. 支持表面貼裝技�(shù)(SMT�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)和大�(guī)模制造�

�(yīng)�

� MOSFET 廣泛用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(Switching Power Supplies�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器
  3. LED �(qū)�(dòng)電路
  4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的負(fù)載開�(guān)
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS�
  6. 工業(yè)控制及電�(jī)�(qū)�(dòng)
  7. 通信�(shè)備中的功率管理模�
  8. �(jì)算機(jī)及其外設(shè)中的電源解決方案

替代型號(hào)

GA1206A121FBEBR31G-A, GA1206A121FBEBR31G-B

ga1206a121fbebr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容120 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-