日韩欧美国产极速不卡一区,国产手机视频在线观看尤物,国产亚洲欧美日韩蜜芽一区,亚洲精品国产免费,亚洲二区三区无码中文,A大片亚洲AV无码一区二区三区,日韩国语国产无码123

您好,歡迎來到維庫電子市場網(wǎng) 登錄 | 免費注冊

您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > GA1206A120KXABP31G

GA1206A120KXABP31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 16:06:56 查看 閱讀�21

GA1206A120KXABP31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,屬于溝道型MOSFET系列。它主要應用于開關電�、DC-DC轉換器、電機驅(qū)動以及負載開關等場景。這款芯片采用先進的制造工�,具有較低的導通電阻和較高的開關速度,能夠在高頻應用中提供出色的效率和性能表現(xiàn)�
  該器件封裝形式為行業(yè)標準封裝之一,能夠有效降低寄生電感和熱阻,從而提升整體系�(tǒng)性能�

參數(shù)

型號:GA1206A120KXABP31G
  類型:N-Channel MOSFET
  漏源極擊穿電壓(Vds):120V
  連續(xù)漏極電流(Id):65A
  導通電阻(Rds(on)):1.2mΩ(典型值,在Vgs=10V時)
  柵極電荷(Qg):85nC(典型值)
  輸入電容(Ciss):2500pF(典型值)
  工作溫度范圍�-55°C�+175°C
  封裝形式:TO-247-3L

特�

GA1206A120KXABP31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導損耗,提高系統(tǒng)效率�
  2. 高速開關能�,支持高頻應�,適合現(xiàn)代高效能設計需求�
  3. 較高的漏源極擊穿電壓(Vds�,增強了其在高壓�(huán)境下的可靠性和�(wěn)定性�
  4. 小巧且高效的封裝形式,減少了寄生參數(shù)影響,提高了散熱性能�
  5. 良好的熱�(wěn)定性及寬廣的工作溫度范�,使其適用于惡劣�(huán)境條件下的使用�
  6. 提供�(yōu)異的EMI性能,能夠降低電磁干擾,滿足嚴格的設計規(guī)范要��
  7. 符合RoHS�(huán)保標�,確保對�(huán)境的影響最小化�

應用

GA1206A120KXABP31G 的典型應用場景包括:
  1. 開關電源(SMPS)中的主開關管或同步整流管�
  2. DC-DC轉換器中的功率開關元��
  3. 電機�(qū)動電路中的橋 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)模塊�
  5. 各類負載開關和保護電��
  6. 電動汽車(EV)和混合動力汽車(HEV)中的電力管理系�(tǒng)�
  7. 工業(yè)自動化設備中的功率控制單元�

替代型號

GA1206A120KXABP31J, IRFP260N, FDP150AN12B

ga1206a120kxabp31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)停產(chǎn)
  • 電容12 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206�3216 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"�1.70mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-