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GA1206A100GBEBR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/28 9:57:45 查看 閱讀:8

GA1206A100GBEBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,屬于溝槽型 MOSFET 系列。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和出色的熱性能,適用于各種高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
  這款器件通常被用作功率轉(zhuǎn)換電路中的關(guān)鍵元件,例如開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器和其他需要高效能量轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景。其封裝形式和電氣特性經(jīng)過(guò)優(yōu)化,能夠滿(mǎn)足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)效率和可靠性的嚴(yán)格要求。

參數(shù)

型號(hào):GA1206A100GBEBR31G
  類(lèi)型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電壓(Vdss):100V
  最大連續(xù)漏極電流(Id):40A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ
  柵極電荷(Qg):75nC
  總柵極電荷(Qg_total):95nC
  輸入電容(Ciss):2850pF
  輸出電容(Coss):1100pF
  反向傳輸電容(Crss):170pF
  功耗(PD):210W
  工作溫度范圍(Topr):-55℃ to +175℃
  封裝形式:TO-247-3

特性

GA1206A100GBEBR31G 具有以下顯著特點(diǎn):
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),僅為 4.5mΩ,從而降低了傳導(dǎo)損耗并提升了整體效率。
  2. 高速開(kāi)關(guān)性能,得益于其較小的柵極電荷和快速的開(kāi)關(guān)時(shí)間。
  3. 強(qiáng)大的散熱能力,能夠在較高的結(jié)溫下穩(wěn)定運(yùn)行。
  4. 提供了較高的電流承載能力,最大連續(xù)漏極電流可達(dá) 40A。
  5. 工作溫度范圍寬廣,支持從 -55°C 到 +175°C 的環(huán)境,適用于嚴(yán)苛的工作條件。
  6. 封裝堅(jiān)固耐用,適合工業(yè)和汽車(chē)級(jí)應(yīng)用。
  這些特性使得 GA1206A100GBEBR31G 成為高效功率轉(zhuǎn)換的理想選擇。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS),包括 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng),特別是用于高效節(jié)能的無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)。
  3. 太陽(yáng)能逆變器,用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。
  4. 電動(dòng)汽車(chē)(EV)和混合動(dòng)力汽車(chē)(HEV)中的電力電子系統(tǒng)。
  5. 工業(yè)自動(dòng)化控制和家電中的功率管理模塊。
  6. LED 驅(qū)動(dòng)器和其他需要高效率和高可靠性功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景。

替代型號(hào)

GA1206A100GBEBR31G-A, IRFZ44N, FDP55N10

ga1206a100gbebr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格停產(chǎn)
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)停產(chǎn)
  • 電容10 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車(chē)級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.063" 寬(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.067"(1.70mm)
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-