GA1206A100GBEBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,屬于溝槽型 MOSFET 系列。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和出色的熱性能,適用于各種高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
這款器件通常被用作功率轉(zhuǎn)換電路中的關(guān)鍵元件,例如開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器和其他需要高效能量轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景。其封裝形式和電氣特性經(jīng)過(guò)優(yōu)化,能夠滿(mǎn)足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)效率和可靠性的嚴(yán)格要求。
型號(hào):GA1206A100GBEBR31G
類(lèi)型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vdss):100V
最大連續(xù)漏極電流(Id):40A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ
柵極電荷(Qg):75nC
總柵極電荷(Qg_total):95nC
輸入電容(Ciss):2850pF
輸出電容(Coss):1100pF
反向傳輸電容(Crss):170pF
功耗(PD):210W
工作溫度范圍(Topr):-55℃ to +175℃
封裝形式:TO-247-3
GA1206A100GBEBR31G 具有以下顯著特點(diǎn):
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),僅為 4.5mΩ,從而降低了傳導(dǎo)損耗并提升了整體效率。
2. 高速開(kāi)關(guān)性能,得益于其較小的柵極電荷和快速的開(kāi)關(guān)時(shí)間。
3. 強(qiáng)大的散熱能力,能夠在較高的結(jié)溫下穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 提供了較高的電流承載能力,最大連續(xù)漏極電流可達(dá) 40A。
5. 工作溫度范圍寬廣,支持從 -55°C 到 +175°C 的環(huán)境,適用于嚴(yán)苛的工作條件。
6. 封裝堅(jiān)固耐用,適合工業(yè)和汽車(chē)級(jí)應(yīng)用。
這些特性使得 GA1206A100GBEBR31G 成為高效功率轉(zhuǎn)換的理想選擇。
該芯片廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS),包括 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng),特別是用于高效節(jié)能的無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)。
3. 太陽(yáng)能逆變器,用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。
4. 電動(dòng)汽車(chē)(EV)和混合動(dòng)力汽車(chē)(HEV)中的電力電子系統(tǒng)。
5. 工業(yè)自動(dòng)化控制和家電中的功率管理模塊。
6. LED 驅(qū)動(dòng)器和其他需要高效率和高可靠性功率轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景。
GA1206A100GBEBR31G-A, IRFZ44N, FDP55N10