GA0805Y683JBABR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為開�(guān)電源、電機驅(qū)動和負載切換等應用設計。該芯片采用了先進的溝槽� MOSFET 技�(shù),能夠提供低導通電阻和高效率的能量�(zhuǎn)換特性�
這款器件具有出色的熱性能和電氣穩(wěn)定�,能夠在高頻開關(guān)條件下保持高效運�,同時支持大電流輸出。其封裝形式和引腳布局�(jīng)過優(yōu)�,便于在各種電路板上進行集成和散熱管理�
型號:GA0805Y683JBABR31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大連續(xù)漏極電流(Id)�80A
導通電�(Rds(on))�3.5mΩ(典型�,在 Vgs=10V 時)
柵極電荷(Qg)�70nC(典型值)
總功�(Ptot)�180W
工作溫度范圍(Ta)�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247-3
GA0805Y683JBABR31G 具有以下�(guān)鍵特性:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),可顯著降低傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高電流承載能�,適合需要大電流輸出的應用場��
3. 快速開�(guān)速度,有助于減少開關(guān)損耗并提升高頻性能�
4. �(wěn)定的電氣特性和耐高溫能力,確保在極端條件下的可靠運��
5. �(nèi)� ESD 保護功能,提高了器件在制造和使用過程中的抗靜電能��
6. 封裝設計緊湊且具備良好的散熱性能,方� PCB 布局與散熱器安裝�
該芯片廣泛應用于以下領域�
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS),包� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機�(qū)動器,如無刷直流電機 (BLDC) 和步進電機控制�
3. 工業(yè)自動化設備中的負載切換和功率管理�
4. 新能源系�(tǒng),例如太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)的功率調(diào)節(jié)模塊�
5. 電動汽車 (EV) 和混合動力汽� (HEV) 的電力電子部��
6. 高效 LED �(qū)動器和照明控制系�(tǒng)�
GA0805Y682KBBAR31G, IRFP2907ZPBF, FDP15U60AE