GA0805Y561MBXBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開關電�、電機驅動和負載切換等應用領�。該器件采用先進的制造工�,具備低導通電阻和快速開關速度的特�,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和�(wěn)定��
其封裝形式為行業(yè)標準的表面貼裝類�,適合自動化生產(chǎn)流程,同時具備出色的散熱性能以應對高功率應用場景�
型號:GA0805Y561MBXBR31G
類型:N-Channel MOSFET
工作電壓�50V
持續(xù)電流�45A
導通電阻(典型值)�2.5mΩ
柵極電荷�12nC
開關時間:ton=9ns, toff=12ns
結溫范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-263 (D2PAK)
GA0805Y561MBXBR31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導通電�,有助于降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 快速的開關速度,適合高頻應用環(huán)��
3. 高電流承載能�,支持大功率輸出�
4. �(wěn)定的電氣性能,在不同溫度條件下均能保持一致��
5. 良好的熱性能設計,增強長期運行可靠��
6. 符合RoHS�(huán)保標�,無鉛材料確保對�(huán)境友好�
這些特點使得該器件成為許多工�(yè)和消費電子領域的理想選擇�
GA0805Y561MBXBR31G 廣泛應用于以下場景:
1. 開關電源(SMPS)中的功率轉換電��
2. 電機控制與驅動電�,例如直流無刷電機(BLDC)控制器�
3. 汽車電子系統(tǒng),如電動助力轉向(EPS)、剎車控制單元(BCU)等�
4. 工業(yè)自動化設備中的負載切換和保護電路�
5. 可再生能源領域,包括太陽能逆變器和電池管理系統(tǒng)(BMS��
6. 各種需要高效功率管理的應用場合�
GA0805Y561MBXBR32G
IRFZ44N
FDP5800