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時(shí)間：2025/5/29 12:59:47
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GA0805Y394KBJBR31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性，能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。
該器件屬于 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET，適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合，其封裝形式為 TO-263（D2PAK），能夠提供出色的散熱性能以應(yīng)對(duì)高功率需求。
最大漏源電壓：60V
連續(xù)漏極電流：32A
導(dǎo)通電阻：4.5mΩ
柵極電荷：77nC
開(kāi)關(guān)速度：超快
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
封裝形式：TO-263（D2PAK）
GA0805Y394KBJBR31G 的主要特性包括：
1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，可以有效降低導(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率。
2. 快速的開(kāi)關(guān)速度，減少開(kāi)關(guān)損耗并支持高頻操作。
3. 高雪崩能量能力，增強(qiáng)了器件在異常情況下的魯棒性。
4. 內(nèi)置靜電保護(hù)功能，提高了器件的可靠性。
5. 緊湊且高效的封裝設(shè)計(jì)，適用于空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景。
6. 寬泛的工作溫度范圍，確保在極端環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
這款功率 MOSFET 可用于以下應(yīng)用場(chǎng)景：
1. 開(kāi)關(guān)電源中的主開(kāi)關(guān)管或同步整流管。
2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的功率級(jí)開(kāi)關(guān)。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率控制元件。
4. 各類(lèi)負(fù)載切換和保護(hù)電路。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率管理模塊。
6. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的高電流開(kāi)關(guān)組件。
IRFZ44N, FDP5800, STP32NF06L
IC型號(hào)索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
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