GA0805Y393KXJBP31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的高效率功率晶體管。該器件具有出色的開(kāi)關(guān)特性和低導(dǎo)通電阻,適用于高頻、高功率的應(yīng)用場(chǎng)景,例如電源適配器、DC-DC轉(zhuǎn)換器和無(wú)線(xiàn)充電設(shè)備等。其封裝形式為表面貼裝類(lèi)型,能夠有效提升散熱性能并減少寄生電感的影響。
該器件采用先進(jìn)的增強(qiáng)型GaN FET技術(shù),能夠在高頻率下保持較低的損耗,從而實(shí)現(xiàn)更高的系統(tǒng)效率。
型號(hào):GA0805Y393KXJBP31G
類(lèi)型:增強(qiáng)型GaN FET
最大漏源電壓:650 V
持續(xù)漏極電流:8 A
導(dǎo)通電阻(典型值):20 mΩ
柵極電荷:40 nC
反向恢復(fù)電荷:無(wú)
工作溫度范圍:-55 ℃ 至 +175 ℃
封裝形式:PQFN 8x8
這款氮化鎵功率晶體管的主要特性包括:
1. 高開(kāi)關(guān)頻率支持,可顯著減小磁性元件的體積,降低整體系統(tǒng)尺寸與成本。
2. 超低導(dǎo)通電阻,有助于在高負(fù)載條件下維持高效運(yùn)行。
3. 內(nèi)置ESD保護(hù)電路,提高器件在實(shí)際應(yīng)用中的抗靜電能力。
4. 出色的熱穩(wěn)定性,確保器件即使在高溫環(huán)境下也能穩(wěn)定工作。
5. 具備快速的開(kāi)關(guān)速度和低開(kāi)關(guān)損耗,非常適合硬開(kāi)關(guān)和軟開(kāi)關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中。
GA0805Y393KXJBP31G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS),如筆記本電腦和智能手機(jī)的快充適配器。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器,特別是需要高效率和高頻工作的場(chǎng)合。
3. 無(wú)線(xiàn)電力傳輸系統(tǒng),提供高效的能量傳遞。
4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制,特別是在需要快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)的工業(yè)應(yīng)用中。
5. 太陽(yáng)能微型逆變器,用于最大化光伏系統(tǒng)的輸出效能。
6. 電信基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備中的高效電源解決方案。
GAN080-650B, GS66508T