類型：增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
　　材料：氮化鎵 (GaN)
　　最大漏源電壓：650V
　　最大連續(xù)漏極電流：4A
　　導(dǎo)通電阻：70mΩ
　　柵極電荷：40nC
　　開(kāi)關(guān)頻率：高達(dá) 2MHz
　　封裝形式：表面貼裝

GA0805Y393JBXBR31G 的主要特點(diǎn)包括：
　　1. 高效的功率轉(zhuǎn)換能力，適合各種高頻應(yīng)用場(chǎng)景。
　　2. 低導(dǎo)通電阻降低了傳導(dǎo)損耗，提高了整體系統(tǒng)效率。
　　3. 快速的開(kāi)關(guān)速度減少了開(kāi)關(guān)損耗，使器件能夠在高頻條件下工作。
　　4. 先進(jìn)的 GaN 技術(shù)確保了優(yōu)異的熱性能和可靠性。
　　5. 封裝設(shè)計(jì)優(yōu)化了散熱路徑，適合高功率密度的應(yīng)用環(huán)境。
　　這些特性使得該器件非常適合用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、AC-DC 轉(zhuǎn)換器以及無(wú)線充電等場(chǎng)景。

該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 數(shù)據(jù)中心電源模塊
　　2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品的快速充電器
　　3. 工業(yè)級(jí) DC-DC 轉(zhuǎn)換器
　　4. 電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器
　　5. 無(wú)線充電設(shè)備
　　6. 高頻射頻功率放大器
　　由于其高效能和高頻性能，該器件在需要高功率密度和高效率的場(chǎng)合中表現(xiàn)尤為出色。

GAN064-650WSA
　　GAN063-650WSB
　　GAN065-650WSA