GA0805Y273MBCBR31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率晶體管,屬于增�(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET�。該器件專為高頻�(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn)。它適用于高效率電源�(zhuǎn)�、DC-DC�(zhuǎn)換器、太�(yáng)能逆變器以及其他需要高性能功率管理的場(chǎng)��
這款 GaN 晶體管采用先�(jìn)的封裝技�(shù),提供出色的散熱性能和電氣特�,同�(shí)能夠顯著降低系統(tǒng)損耗并提升整體效率�
型號(hào):GA0805Y273MBCBR31G
類型:增�(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體� (eGaN FET)
材料:氮化鎵 (GaN)
最大漏源電� (Vds)�600 V
連續(xù)漏極電流 (Id)�8 A
�(dǎo)通電� (Rds(on))�150 mΩ
柵極閾值電� (Vgs(th))�1.5 V � 3 V
總柵極電� (Qg)�40 nC
反向恢復(fù)電荷 (Qrr):無(wú)反向恢復(fù)
工作溫度范圍�-55 � � +175 �
封裝形式:TO-247
GA0805Y273MBCBR31G 具有以下主要特性:
1. 高效的開(kāi)�(guān)性能:由于其超低的導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度,該器件非常適合高頻操作�(huán)�,能有效減少能量損耗�
2. �(wú)反向恢復(fù)電荷:與傳統(tǒng)� MOSFET 相比,此 GaN 器件�(méi)有反向恢�(fù)電荷�(wèn)�,從而�(jìn)一步優(yōu)化了�(kāi)�(guān)性能�
3. �(qiáng)大的耐壓能力:支持高�(dá) 600V 的漏源電壓,確保在高壓環(huán)境下可靠�(yùn)��
4. 高溫�(wěn)定性:能夠� -55� � +175� 的寬廣溫度范圍內(nèi)�(wěn)定工�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)��
5. 緊湊且高效的封裝:采� TO-247 封裝,提供良好的散熱性能和機(jī)械強(qiáng)��
6. 易于�(qū)�(dòng):低柵極電荷和適中的柵極閾值電壓使其可以輕松被�(xiàn)有的�(qū)�(dòng)電路控制�
GA0805Y273MBCBR31G 廣泛�(yīng)用于以下幾�(gè)�(lǐng)域:
1. 高效電源�(zhuǎn)換:包括 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器,用于服�(wù)�、通信�(shè)備及工業(yè)�(shè)備�
2. 太陽(yáng)能逆變器:利用其高效率和快速開(kāi)�(guān)特性來(lái)�(shí)�(xiàn)更高效的能量�(zhuǎn)��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng):在工業(yè)自動(dòng)化和電動(dòng)汽車中用作主功率�(kāi)�(guān)�
4. 快速充電器:支持更高頻率和更低損耗的充電解決方案�
5. LED �(qū)�(dòng)器:為大功率 LED 提供�(wěn)定可靠的�(qū)�(dòng)功能�
6. 其他高頻功率電子�(yīng)用:例如�(wú)線電力傳�、音頻放大器等需要高效率和快速響�(yīng)的應(yīng)用場(chǎng)景�
GA0805Y271MBCBR28G, GA0805Y272MBCBR30G