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GA0805Y272MBJBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 18:33:16 查看 閱讀�7

GA0805Y272MBJBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率、高功率密度的應(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適用于各種電源管理�(chǎng)�,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)�。其封裝形式和電氣性能�(jīng)�(guò)�(yōu)�,能夠有效降低系�(tǒng)功耗并提升整體效率�

參數(shù)

型號(hào):GA0805Y272MBJBR31G
  類型:漏源極電壓):60V
  RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�4.5mΩ
  IDS(持�(xù)漏極電流):90A
  柵極電荷(Qg):45nC
  工作溫度范圍�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-247-3L

特�

GA0805Y272MBJBR31G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� (RDS(on)),能夠減少傳�(dǎo)損耗,從而提高系�(tǒng)的整體效��
  2. 快速的開關(guān)速度,得益于較小的柵極電� (Qg),適合高頻應(yīng)用�
  3. 高電流承載能�,支持高�(dá)90A的持�(xù)漏極電流,滿足大功率需��
  4. 寬廣的工作溫度范� (-55℃至+175�),確保在極端�(huán)境下依然�(wěn)定運(yùn)��
  5. 采用�(jiān)固耐用� TO-247-3L 封裝,提供良好的散熱性能和機(jī)械可靠��
  6. �(nèi)置反向恢�(fù)二極管,有助于簡(jiǎn)化電路設(shè)�(jì)并提高效��

�(yīng)�

這款功率MOSFET 芯片廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � AC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)元件�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器,用于電�(dòng)汽車 (EV) 或工�(yè)�(shè)備中的高效能量傳��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器,適用于各類家用電�、工�(yè)自動(dòng)化和電動(dòng)��
  4. 可再生能源系�(tǒng),如太陽(yáng)能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)�
  5. 工業(yè)�(jí)�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�
  6. 大功� LED 照明�(qū)�(dòng)電路�

替代型號(hào)

GA0805Y272MBJBR29G, IRF540N, FDP077N06L

ga0805y272mbjbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容2700 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定16V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-