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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA0805Y272JBCBR31G

GA0805Y272JBCBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/21 23:41:46 查看 閱讀�17

GA0805Y272JBCBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)�。該芯片具有低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和良好的熱性能,能夠有效提升電路效率并降低功��
  其封裝形式為行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)的小型表面貼裝器�(SMD),非常適合于高密度組裝環(huán)�,同�(shí)具備出色的可靠性和�(wěn)定性�

參數(shù)

型號(hào):GA0805Y272JBCBR31G
  類型:N溝道功率MOSFET
  額定電壓�60V
  額定電流�12A
  �(dǎo)通電阻:4.5mΩ(典型值)
  柵極電荷�19nC(最大值)
  �(kāi)�(guān)頻率:支持高�(dá)500kHz
  工作溫度范圍�-55°C�+175°C
  封裝形式:TO-252 (DPAK)

特�

GA0805Y272JBCBR31G 具有以下顯著特性:
  1. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì)使得該器件在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)�,從而減少功率損��
  2. 高速開(kāi)�(guān)能力,可以滿足高頻應(yīng)用需�,例如開(kāi)�(guān)電源和PWM控制電路�
  3. 熱增�(qiáng)型封裝設(shè)�(jì)有助于改善散熱性能,提高系�(tǒng)可靠��
  4. 提供寬廣的工作溫度范�,確保在極端條件下也能穩(wěn)定運(yùn)��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子設(shè)�(jì)中�

�(yīng)�

這款功率MOSFET廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(shè)備中,包括但不限于:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS) 和適配器�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于筆記本電腦、平板電腦和其他便攜式設(shè)��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng),適用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的小型電�(jī)控制�
  4. �(fù)載開(kāi)�(guān),用于高效管理電池供電設(shè)備中的電流分��
  5. 通信電源模塊,以�(shí)�(xiàn)�(wěn)定的電壓輸出和快速動(dòng)�(tài)響應(yīng)�

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP12NF06
  FDP15N60

ga0805y272jbcbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容2700 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-