GA0805Y272JBCBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)�。該芯片具有低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和良好的熱性能,能夠有效提升電路效率并降低功��
其封裝形式為行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)的小型表面貼裝器�(SMD),非常適合于高密度組裝環(huán)�,同�(shí)具備出色的可靠性和�(wěn)定性�
型號(hào):GA0805Y272JBCBR31G
類型:N溝道功率MOSFET
額定電壓�60V
額定電流�12A
�(dǎo)通電阻:4.5mΩ(典型值)
柵極電荷�19nC(最大值)
�(kāi)�(guān)頻率:支持高�(dá)500kHz
工作溫度范圍�-55°C�+175°C
封裝形式:TO-252 (DPAK)
GA0805Y272JBCBR31G 具有以下顯著特性:
1. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì)使得該器件在高電流應(yīng)用中表現(xiàn)�(yōu)�,從而減少功率損��
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,可以滿足高頻應(yīng)用需�,例如開(kāi)�(guān)電源和PWM控制電路�
3. 熱增�(qiáng)型封裝設(shè)�(jì)有助于改善散熱性能,提高系�(tǒng)可靠��
4. 提供寬廣的工作溫度范�,確保在極端條件下也能穩(wěn)定運(yùn)��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子設(shè)�(jì)中�
這款功率MOSFET廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(shè)備中,包括但不限于:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS) 和適配器�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于筆記本電腦、平板電腦和其他便攜式設(shè)��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng),適用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的小型電�(jī)控制�
4. �(fù)載開(kāi)�(guān),用于高效管理電池供電設(shè)備中的電流分��
5. 通信電源模塊,以�(shí)�(xiàn)�(wěn)定的電壓輸出和快速動(dòng)�(tài)響應(yīng)�
IRFZ44N
STP12NF06
FDP15N60