GA0805Y223MXBBC31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,適用于多種開關(guān)和電源管理應(yīng)�。該器件采用先進的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
這款MOSFET主要�(yīng)用于消費電子、工�(yè)控制和汽車電子等�(lǐng)�,其封裝形式緊湊,適合空間受限的�(shè)計環(huán)��
型號:GA0805Y223MXBBC31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vdss)�30V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�10A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4mΩ
總柵極電�(Qg)�17nC
開關(guān)速度:快�
工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-252(DPAK)
GA0805Y223MXBBC31G的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳�(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 高開�(guān)速度�(shè)計,可支持高頻開�(guān)�(yīng)��
3. 良好的熱性能表現(xiàn),確保在高負(fù)載條件下�(wěn)定運��
4. 小型化封�,便于PCB布局�(yōu)��
5. 寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)各種惡劣�(huán)境下的使用需求�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且安全可靠�
GA0805Y223MXBBC31G廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率級元件�
3. 電機�(qū)動電路中的開�(guān)器件�
4. 消費類電子產(chǎn)品如筆記本適配器、手機充電器��
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負(fù)載切換�
6. 汽車電子系統(tǒng)中的電源管理和保護電��
GA0805Y223MXBBC32G, IRF00