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GA0805Y222KBCBT31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/16 12:10:00 查看 閱讀�17

GA0805Y222KBCBT31G 是一款基� GaN(氮化鎵)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高頻、高效應(yīng)用場景設(shè)�。該器件采用了先進的封裝技�(shù),具備卓越的開關(guān)性能和低導通電阻特�,適合于電源管理、無線充�、D類音頻放大器等應(yīng)用領(lǐng)��
  該型號是高度�(yōu)化的功率半導體器�,具有出色的熱性能和可靠性,在高頻率工作條件下能夠提供高效的功率�(zhuǎn)�,同時保持較低的損��

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�8A
  導通電阻:40mΩ
  柵極電荷�70nC
  開關(guān)速度:高�1MHz
  �(jié)溫范圍:-55� � +150�
  封裝形式:TO-247-3

特�

1. 基于 GaN 技�(shù),具備更低的導通電阻和更高的效��
  2. 支持高頻工作模式,適合要求苛刻的電力電子系統(tǒng)�
  3. �(nèi)置保護功�,可防止過壓及短路損壞�
  4. 高度集成�(shè)�,減少了外部元件的需�,簡化了電路�(shè)計�
  5. 熱性能�(yōu)�,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運��
  6. 封裝堅固耐用,符合工�(yè)標準,易于焊接和安裝�

�(yīng)�

1. 開關(guān)電源(SMPS�
  2. 無線充電模塊
  3. D類音頻放大器
  4. 太陽能逆變�
  5. 電動汽車充電�
  6. �(shù)�(jù)中心供電單元

替代型號

GAN0805Y222KBCB, GA0805Y222KBCBT30G

ga0805y222kbcbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容2200 pF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-