GA0805Y222KBCBT31G 是一款基� GaN(氮化鎵)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT),專為高頻、高效應(yīng)用場景設(shè)�。該器件采用了先進的封裝技�(shù),具備卓越的開關(guān)性能和低導通電阻特�,適合于電源管理、無線充�、D類音頻放大器等應(yīng)用領(lǐng)��
該型號是高度�(yōu)化的功率半導體器�,具有出色的熱性能和可靠性,在高頻率工作條件下能夠提供高效的功率�(zhuǎn)�,同時保持較低的損��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�8A
導通電阻:40mΩ
柵極電荷�70nC
開關(guān)速度:高�1MHz
�(jié)溫范圍:-55� � +150�
封裝形式:TO-247-3
1. 基于 GaN 技�(shù),具備更低的導通電阻和更高的效��
2. 支持高頻工作模式,適合要求苛刻的電力電子系統(tǒng)�
3. �(nèi)置保護功�,可防止過壓及短路損壞�
4. 高度集成�(shè)�,減少了外部元件的需�,簡化了電路�(shè)計�
5. 熱性能�(yōu)�,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運��
6. 封裝堅固耐用,符合工�(yè)標準,易于焊接和安裝�
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. 無線充電模塊
3. D類音頻放大器
4. 太陽能逆變�
5. 電動汽車充電�
6. �(shù)�(jù)中心供電單元
GAN0805Y222KBCB, GA0805Y222KBCBT30G