GA0805Y124JBABR31G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的功率晶體管,專為高頻和高效率應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)。該型號(hào)屬于 GaN Systems 公司的增強(qiáng)型 GaN FET 系列,采用無(wú)引線芯片級(jí)封裝 (LCC),具有極低的寄生電感和出色的熱性能。
這款器件的工作電壓高達(dá) 650V,并且支持高達(dá) 8A 的連續(xù)漏極電流。它適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)自動(dòng)化以及通信電源等應(yīng)用領(lǐng)域。
最大額定電壓:650V
連續(xù)漏極電流:8A
導(dǎo)通電阻:124mΩ
柵極電荷:79nC
反向恢復(fù)電荷:0nC
開(kāi)關(guān)速度:超高
工作溫度范圍:-40℃ 至 +125℃
GA0805Y124JBABR31G 提供了卓越的性能,主要特性包括:
1. 高擊穿電壓和低導(dǎo)通電阻,從而實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換。
2. 極快的開(kāi)關(guān)速度,減少了開(kāi)關(guān)損耗并提升了系統(tǒng)效率。
3. 無(wú)反向恢復(fù)電荷 (Qrr),顯著降低了高頻操作時(shí)的振蕩問(wèn)題。
4. 采用 LCC 封裝形式,提供優(yōu)異的散熱特性和電氣連接可靠性。
5. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能,增強(qiáng)了器件在實(shí)際使用中的抗干擾能力。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),確保環(huán)境友好性。
該型號(hào)廣泛應(yīng)用于需要高效率和高頻工作的場(chǎng)景,例如:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 太陽(yáng)能逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模塊。
3. 電動(dòng)工具和小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
4. 數(shù)據(jù)中心和電信設(shè)備的高效電源管理。
5. 快速充電器和適配器解決方案。
其高頻特性和低損耗非常適合現(xiàn)代緊湊型和高性能電子設(shè)備的需求。
GS66508T
GAN063-650WSB
TP65H075G4LSG