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GA0805Y124JBABR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/23 8:06:00 查看 閱讀:10

GA0805Y124JBABR31G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的功率晶體管,專為高頻和高效率應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)。該型號(hào)屬于 GaN Systems 公司的增強(qiáng)型 GaN FET 系列,采用無(wú)引線芯片級(jí)封裝 (LCC),具有極低的寄生電感和出色的熱性能。
  這款器件的工作電壓高達(dá) 650V,并且支持高達(dá) 8A 的連續(xù)漏極電流。它適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、工業(yè)自動(dòng)化以及通信電源等應(yīng)用領(lǐng)域。

參數(shù)

最大額定電壓:650V
  連續(xù)漏極電流:8A
  導(dǎo)通電阻:124mΩ
  柵極電荷:79nC
  反向恢復(fù)電荷:0nC
  開(kāi)關(guān)速度:超高
  工作溫度范圍:-40℃ 至 +125℃

特性

GA0805Y124JBABR31G 提供了卓越的性能,主要特性包括:
  1. 高擊穿電壓和低導(dǎo)通電阻,從而實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換。
  2. 極快的開(kāi)關(guān)速度,減少了開(kāi)關(guān)損耗并提升了系統(tǒng)效率。
  3. 無(wú)反向恢復(fù)電荷 (Qrr),顯著降低了高頻操作時(shí)的振蕩問(wèn)題。
  4. 采用 LCC 封裝形式,提供優(yōu)異的散熱特性和電氣連接可靠性。
  5. 內(nèi)置 ESD 保護(hù)功能,增強(qiáng)了器件在實(shí)際使用中的抗干擾能力。
  6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),確保環(huán)境友好性。

應(yīng)用

該型號(hào)廣泛應(yīng)用于需要高效率和高頻工作的場(chǎng)景,例如:
  1. 開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
  2. 太陽(yáng)能逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模塊。
  3. 電動(dòng)工具和小型電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
  4. 數(shù)據(jù)中心和電信設(shè)備的高效電源管理。
  5. 快速充電器和適配器解決方案。
  其高頻特性和低損耗非常適合現(xiàn)代緊湊型和高性能電子設(shè)備的需求。

替代型號(hào)

GS66508T
  GAN063-650WSB
  TP65H075G4LSG

ga0805y124jbabr31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.12 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車(chē)級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805(2012 公制)
  • 大小 / 尺寸0.079" 長(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"(1.45mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-