GA0805Y123MXCBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)速度和高耐壓能力等特性,廣泛�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)控制等領(lǐng)��
該型�(hào)屬于增強(qiáng)� N 溝道 MOSFET,其封裝形式通常� TO-247 � TO-220,具體取決于制造商的標(biāo)�(zhǔn)。由于其出色的電氣性能和可靠�,GA0805Y123MXCBR31G 在大功率�(kāi)�(guān)電路中表�(xiàn)出色�
最大漏源電壓:1200V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻:60mΩ
柵極電荷�150nC
最大工作結(jié)溫:175�
熱阻(結(jié)到殼):0.5�/W
GA0805Y123MXCBR31G 的主要特�(diǎn)是高耐壓和低�(dǎo)通電阻的�(jié)�,使其能夠在高壓�(huán)境下保持較低的功率損��
此外,它具有快速開(kāi)�(guān)特性,能夠有效減少�(kāi)�(guān)損耗并提高系統(tǒng)效率。芯片內(nèi)部集成的保護(hù)�(jī)制�(jìn)一步提升了其在�(fù)雜環(huán)境中的可靠性和�(wěn)定��
該芯片還支持較寬的工作溫度范�,適用于惡劣�(huán)境下的電力電子設(shè)備。其�(yōu)化的寄生參數(shù)�(shè)�(jì)使得電磁干擾最小化,從而降低了�(duì)其他電路模塊的影響�
GA0805Y123MXCBR31G 廣泛�(yīng)用于多種功率�(zhuǎn)換和控制�(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
2. 逆變�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)
4. 太陽(yáng)能微逆變�
5. 電動(dòng)�(chē)輛的�(dòng)力總�
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模�
這款器件憑借其卓越的性能表現(xiàn),特別適合需要高效率和高�(wěn)定性的�(yīng)用場(chǎng)��
GA0805Y123MXCBR32G
IRFP460
FQA18N120E
STP120NF12Z