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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GA0805Y123MXCBR31G

GA0805Y123MXCBR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 10:56:19 查看 閱讀�8

GA0805Y123MXCBR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該芯片采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具備低�(dǎo)通電�、快速開(kāi)�(guān)速度和高耐壓能力等特性,廣泛�(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和工�(yè)控制等領(lǐng)��
  該型�(hào)屬于增強(qiáng)� N 溝道 MOSFET,其封裝形式通常� TO-247 � TO-220,具體取決于制造商的標(biāo)�(zhǔn)。由于其出色的電氣性能和可靠�,GA0805Y123MXCBR31G 在大功率�(kāi)�(guān)電路中表�(xiàn)出色�

參數(shù)

最大漏源電壓:1200V
  連續(xù)漏極電流�30A
  �(dǎo)通電阻:60mΩ
  柵極電荷�150nC
  最大工作結(jié)溫:175�
  熱阻(結(jié)到殼):0.5�/W

特�

GA0805Y123MXCBR31G 的主要特�(diǎn)是高耐壓和低�(dǎo)通電阻的�(jié)�,使其能夠在高壓�(huán)境下保持較低的功率損��
  此外,它具有快速開(kāi)�(guān)特性,能夠有效減少�(kāi)�(guān)損耗并提高系統(tǒng)效率。芯片內(nèi)部集成的保護(hù)�(jī)制�(jìn)一步提升了其在�(fù)雜環(huán)境中的可靠性和�(wěn)定��
  該芯片還支持較寬的工作溫度范�,適用于惡劣�(huán)境下的電力電子設(shè)備。其�(yōu)化的寄生參數(shù)�(shè)�(jì)使得電磁干擾最小化,從而降低了�(duì)其他電路模塊的影響�

�(yīng)�

GA0805Y123MXCBR31G 廣泛�(yīng)用于多種功率�(zhuǎn)換和控制�(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  2. 逆變�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)
  4. 太陽(yáng)能微逆變�
  5. 電動(dòng)�(chē)輛的�(dòng)力總�
  6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模�
  這款器件憑借其卓越的性能表現(xiàn),特別適合需要高效率和高�(wěn)定性的�(yīng)用場(chǎng)��

替代型號(hào)

GA0805Y123MXCBR32G
  IRFP460
  FQA18N120E
  STP120NF12Z

ga0805y123mxcbr31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.012 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" �(zhǎng) x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-