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GA0805H821MXXBP31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/28 9:36:57 查看 閱讀�10

GA0805H821MXXBP31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先進的制程工藝制�,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動和負載開關(guān)等領(lǐng)域。該器件具有低導(dǎo)通電�、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度的特�,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�

參數(shù)

型號:GA0805H821MXXBP31G
  類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�12A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ
  總功�(Ptot)�36W
  �(jié)溫范�(Tj)�-55� to +175�
  封裝形式:TO-252(DPAK)

特�

GA0805H821MXXBP31G的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,可顯著降低導(dǎo)通損��
  2. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
  3. 高擊穿電�,提供強大的過壓保護能力�
  4. 小型化的封裝�(shè)�,有助于節(jié)省PCB空間�
  5. �(wěn)定的熱性能,確保在極端溫度下的可靠運行�
  6. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛材料�

�(yīng)�

該芯片適用于多種電力電子�(yīng)�,包括但不限于:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率元��
  3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負載控制�
  4. 消費類電子設(shè)備中的過流保護電��
  5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電機驅(qū)動控制�
  6. 汽車電子中的各種功率開關(guān)功能�

替代型號

GA0805H821MXXAP31G, IRF540N, FDP5501

ga0805h821mxxbp31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容820 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-