GA0805H821MXXBP31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先進的制程工藝制�,廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動和負載開關(guān)等領(lǐng)域。該器件具有低導(dǎo)通電�、高擊穿電壓和快速開�(guān)速度的特�,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率�
型號:GA0805H821MXXBP31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�12A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ
總功�(Ptot)�36W
�(jié)溫范�(Tj)�-55� to +175�
封裝形式:TO-252(DPAK)
GA0805H821MXXBP31G的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,可顯著降低導(dǎo)通損��
2. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
3. 高擊穿電�,提供強大的過壓保護能力�
4. 小型化的封裝�(shè)�,有助于節(jié)省PCB空間�
5. �(wěn)定的熱性能,確保在極端溫度下的可靠運行�
6. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛材料�
該芯片適用于多種電力電子�(yīng)�,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整流�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率元��
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負載控制�
4. 消費類電子設(shè)備中的過流保護電��
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電機驅(qū)動控制�
6. 汽車電子中的各種功率開關(guān)功能�
GA0805H821MXXAP31G, IRF540N, FDP5501