GA0805H821MBABR31G 是一款高性能的汽車級功率MOSFET芯片,專為高效率和高可靠性應用設�。該型號采用先進的制造工藝,能夠提供較低的導通電阻和較高的開關速度,適用于汽車電子、工�(yè)控制和其他高功率密度的應用場��
其主要特點包括出色的熱性能、耐受高浪涌電流的能力以及增強的靜電防護功能。此�,它符合AEC-Q101標準,確保在惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定運行�
類型:N-Channel MOSFET
VDS(漏源電壓)�60V
RDS(on)(導通電阻)�4.5mΩ
ID(連續(xù)漏極電流):95A
Qg(柵極電荷)�25nC
VGS(th)(閾值電壓)�2.5V
f(t)(切換頻率)�1MHz
封裝:TO-220
工作溫度范圍�-55°C to +175°C
GA0805H821MBABR31G 的主要特性如下:
1. 極低的導通電阻使得功耗顯著降�,非常適合高效能�(zhuǎn)換器�
2. 支持高頻操作,減少磁性元件體�,從而降低系�(tǒng)成本�
3. 高額定電流能力使其適合驅(qū)動大負載,例如電機控制器和電源管理模��
4. 符合汽車行業(yè)的嚴格要求,具有卓越的可靠性和抗干擾能��
5. �(nèi)置ESD保護電路以提高系�(tǒng)的穩(wěn)定��
6. 封裝堅固耐用,適應極端溫度和振動�(huán)境�
該型號廣泛應用于以下領域�
1. 汽車電子系統(tǒng),如電動助力�(zhuǎn)向(EPS�、制動控制系�(tǒng)和空�(diào)壓縮機驅(qū)��
2. 開關模式電源(SMPS)及DC/DC�(zhuǎn)換器�
3. 工業(yè)自動化設備中的電機驅(qū)動和逆變��
4. 太陽能微逆變器和儲能管理系統(tǒng)�
5. 其他需要高性能功率切換的場�,例如不間斷電源(UPS)和LED照明�(qū)動�
GA0805H821MBABR29G
IRFZ44N
FDP5500
STP95N60E