GA0805H821KXXBC31G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高性能功率晶體�,專為高頻和高效率應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì)。該器件采用了先�(jìn)� GaN-on-Si 工藝,具有低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和高耐壓特�,適用于各種電力電子�(zhuǎn)換器、DC-DC �(zhuǎn)換器、無(wú)線充電設(shè)備以及新能源�(lǐng)域的�(yīng)��
相比傳統(tǒng)的硅� MOSFET,這款 GaN 晶體管能夠在更高的頻率下�(yùn)�,同�(shí)保持較低的開(kāi)�(guān)損耗和�(dǎo)通損�,從而顯著提升系�(tǒng)效率并減小整體尺寸�
型號(hào):GA0805H821KXXBC31G
類型:增�(qiáng)型功率晶體管
材料:氮化鎵(GaN�
最大漏源電壓:650V
最大連續(xù)漏極電流�8A
�(dǎo)通電阻:15mΩ
柵極閾值電壓:1.5V - 4.5V
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247-3L
GA0805H821KXXBC31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(15mΩ�,能夠顯著降低傳�(dǎo)損��
2. 高開(kāi)�(guān)速度,支� MHz �(jí)別的�(kāi)�(guān)頻率操作�
3. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能,增�(qiáng)了器件的魯棒��
4. 小尺寸和輕量化設(shè)�(jì),適合緊湊型電力電子�(shè)��
5. 高可靠性,在極端環(huán)境條件下仍能保持�(wěn)定性能�
6. 支持高效的硬�(kāi)�(guān)和軟�(kāi)�(guān)�?fù)浣Y(jié)�(gòu)�
這些特性使其成為高速開(kāi)�(guān)電源、工�(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)器和電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)的理想選��
GA0805H821KXXBC31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器� AC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 充電器和適配器,例如手機(jī)快充和筆記本電腦充電��
3. �(wú)線能量傳輸系�(tǒng),如�(wú)線充電板�
4. 太陽(yáng)能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模��
5. 電動(dòng)工具和家用電器中的高效電�(jī)�(qū)�(dòng)電路�
6. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器和通信基站的電源管理單��
其高頻和高效的特�(diǎn)使它非常適合需要小型化和高性能的場(chǎng)景�
GAN0606WTA,
GAN1006WTA,
TP65H015G4