GA0805H683MXXBR31G 是一款由東芝(Toshiba)生�(chǎn)的功率半導體器件,具體屬� IGBT 模塊系列。該模塊廣泛應用于工�(yè)控制、變頻器、逆變焊機、不間斷電源(UPS)等�(lǐng)�,具有高效率、低損耗以及高可靠性的特點�
此型號的 IGBT 模塊集成了高速開�(guān)特性和�(yōu)化的反并�(lián)二極管設計,使其在高頻開�(guān)和大電流應用中表�(xiàn)出色�
集電�-�(fā)射極電壓�1200V
連續(xù)集電極電流:45A
柵極-�(fā)射極電壓:�20V
最大功耗:270W
工作溫度范圍�-40� to 150�
GA0805H683MXXBR31G 的主要特性包括:
1. 高阻斷電壓能�,支持高� 1200V 的集電極-�(fā)射極電壓�
2. 較低的導通壓降和開關(guān)損�,確保更高的系統(tǒng)效率�
3. �(nèi)置快速恢復二極管,能夠有效降低反向恢復時�,提升整體性能�
4. 緊湊型封裝設�,適合空間受限的應用場景�
5. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性和電氣�(wěn)定�,適應嚴苛的工作�(huán)境�
6. 提供過電流保護功�,延長模塊壽命�
該芯片適用于多種�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
1. 工業(yè)變頻器和伺服�(qū)動系�(tǒng)�
2. 太陽能逆變器和風力�(fā)電設��
3. 不間斷電源(UPS)和應急電源系�(tǒng)�
4. 電動車輛牽引逆變器�
5. 各種類型的焊接設��
6. 家用電器中的高效電機�(qū)動解決方案�
GA0805H683MXXBR21G