時(shí)間：2025/5/29 12:59:23
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GA0805H681MBBBT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等場景。該芯片采用先進(jìn)的制造工藝，具備低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點(diǎn)，從而提高系統(tǒng)效率并降低功耗。其封裝形式為TO-252（DPAK），能夠有效提升散熱性能。
最大漏源電壓：60V
最大柵源電壓：±20V
連續(xù)漏極電流：5A
導(dǎo)通電阻：4.5mΩ
柵極電荷：32nC
反向恢復(fù)時(shí)間：17ns
工作溫度范圍：-55℃至150℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），能夠在高電流應(yīng)用中減少功率損耗。
2. 高速開關(guān)性能，適合高頻電路設(shè)計(jì)。
3. 內(nèi)置ESD保護(hù)功能，提高了器件的可靠性。
4. 小型化的封裝尺寸，便于PCB布局優(yōu)化。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，綠色環(huán)保。
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制中的功率級開關(guān)。
4. 電池管理系統(tǒng)的充放電控制。
5. 各類工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
IRF540N
AO3400
FDP5800
