GA0805H681KBABR31G 是一款基于 GaN(氮化鎵)技術(shù)的高效率功率開(kāi)關(guān)器件,專(zhuān)為高頻和高功率密度應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的增強(qiáng)型 GaN 晶體管技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)特性和高可靠性。它適用于 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電源適配器、快充設(shè)備以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。
該芯片通過(guò)優(yōu)化柵極驅(qū)動(dòng)特性,有效降低了開(kāi)關(guān)損耗,同時(shí)具備強(qiáng)大的短路保護(hù)能力,能夠在高頻工作條件下提供穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。
類(lèi)型:增強(qiáng)型 GaN HEMT
導(dǎo)通電阻:24 mΩ
擊穿電壓:650 V
最大漏極電流:8 A
柵極驅(qū)動(dòng)電壓:5.5 V(典型值)
開(kāi)關(guān)頻率:高達(dá) 2 MHz
封裝形式:KGD(裸芯)
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),確保在高負(fù)載下保持高效運(yùn)行。
2. 支持高達(dá) 2 MHz 的開(kāi)關(guān)頻率,能夠顯著減小無(wú)源元件的體積,提升功率密度。
3. 內(nèi)置優(yōu)化的 ESD 保護(hù)電路,增強(qiáng)芯片的抗靜電能力。
4. 短路耐受時(shí)間長(zhǎng),適合復(fù)雜工況下的可靠運(yùn)行。
5. 高溫穩(wěn)定性強(qiáng),可在 -40°C 至 +125°C 的結(jié)溫范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。
6. 具備較低的柵極電荷(Qg),有助于減少驅(qū)動(dòng)損耗并簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)。
7. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿(mǎn)足國(guó)際法規(guī)要求。
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)關(guān)管。
2. USB PD 快充適配器的核心功率器件。
3. 通信電源及服務(wù)器電源模塊中的高頻 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
4. 小型化電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器的關(guān)鍵組件。
5. 高頻諧振轉(zhuǎn)換器(LLC 或其他拓?fù)洌┲械墓β始?jí)器件。
6. 工業(yè)電源及 LED 驅(qū)動(dòng)電源中的功率開(kāi)關(guān)。
GAN063-650WSA
GS66502B
TP65H090G4L