GA0805H563KBABT31G 是一款基� GaN(氮化鎵)技�(shù)的高效率功率晶體管,屬于增強型場效應(yīng)晶體� (e-mode HEMT)。該器件采用先進的封裝工藝,適用于高頻開關(guān)和高效能電源�(zhuǎn)換應(yīng)用。其主要特點包括低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)特性和高可靠�。這種晶體管非常適合用� DC-DC �(zhuǎn)換器、無線充電設(shè)�、快充適配器以及各類工業(yè)電源系統(tǒng)�
GaN 技�(shù)使得這款晶體管能夠在更高的頻率下工作,同時保持較低的能量損�,從而實�(xiàn)更小尺寸、更高效率的電力電子�(shè)��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�5A
�(dǎo)通電阻:120mΩ
柵極電荷�70nC
反向恢復(fù)時間�<50ns
工作溫度范圍�-40� � +125�
1. 基于增強� GaN HEMT 技�(shù),具備卓越的開關(guān)性能�
2. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損��
3. 快速開�(guān)速度,支持高達幾 MHz 的工作頻��
4. 小巧的封裝尺�,便于集成到緊湊型設(shè)計中�
5. 高擊穿電壓(650V�,適合各種高壓應(yīng)用場��
6. 提供出色的熱�(wěn)定性和可靠�,確保長期運��
1. USB-PD 快速充電器及適配器
2. 開關(guān)電源(SMPS)中的高� DC-DC �(zhuǎn)�
3. 無線充電模塊
4. LED �(qū)動電�
5. 消費類電子產(chǎn)品中的高效能電源管理
6. 工業(yè)� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器
GAN065-002BDA
TX6505E
GXT065R080B