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GA0805H563JXXBT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/15 17:32:26 查看 閱讀�19

GA0805H563JXXBT31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體管,主要用于開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適用于工業(yè)、消�(fèi)電子以及汽車�(lǐng)域中的各種電路設(shè)�(jì)�
  這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型,支持快速開�(guān)操作,并能夠承受較高的電壓和電流�(fù)�。其封裝形式� TO-263(D2PAK�,具備出色的散熱性能�

參數(shù)

型號:GA0805H563JXXBT31G
  類型:N溝道 MOSFET
  Vds(漏源極耐壓):60V
  Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�4.5mΩ
  Id(持�(xù)漏極電流):80A
  Vgs(th)(柵極開啟電壓)�2.5V~4.5V
  Qg(總柵極電荷):75nC
  EAS(雪崩能量)�1.2J
  封裝:TO-263 (D2PAK)

特�

GA0805H563JXXBT31G 具有以下主要特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 高額定電流和電壓能力,適合在�(yán)苛條件下工作�
  3. 快速開�(guān)速度,有助于減少開關(guān)損耗并支持高頻�(yīng)��
  4. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定性能�
  5. 支持多種保護(hù)功能,例如過流保�(hù)和短路保�(hù),從而增�(qiáng)可靠��
  6. 封裝采用�(biāo)�(zhǔn) TO-263,便于集成到�(xiàn)� PCB �(shè)�(jì)��

�(yīng)�

GA0805H563JXXBT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器電��
  3. 工業(yè)控制�(shè)備和自動(dòng)化系�(tǒng)�
  4. 汽車電子中的�(fù)載切換和電池管理�
  5. 高效 LED �(qū)�(dòng)器和太陽能逆變��
  6. 任何需要大電流、高效率開關(guān)的應(yīng)用場��

替代型號

IRFZ44N, FDP55N06L, STP80NF06

ga0805h563jxxbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.056 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-