GA0805H563JXXBT31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體管,主要用于開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),適用于工業(yè)、消�(fèi)電子以及汽車�(lǐng)域中的各種電路設(shè)�(jì)�
這款 MOSFET 屬于 N 溝道增強(qiáng)型,支持快速開�(guān)操作,并能夠承受較高的電壓和電流�(fù)�。其封裝形式� TO-263(D2PAK�,具備出色的散熱性能�
型號:GA0805H563JXXBT31G
類型:N溝道 MOSFET
Vds(漏源極耐壓):60V
Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�4.5mΩ
Id(持�(xù)漏極電流):80A
Vgs(th)(柵極開啟電壓)�2.5V~4.5V
Qg(總柵極電荷):75nC
EAS(雪崩能量)�1.2J
封裝:TO-263 (D2PAK)
GA0805H563JXXBT31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高額定電流和電壓能力,適合在�(yán)苛條件下工作�
3. 快速開�(guān)速度,有助于減少開關(guān)損耗并支持高頻�(yīng)��
4. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定性能�
5. 支持多種保護(hù)功能,例如過流保�(hù)和短路保�(hù),從而增�(qiáng)可靠��
6. 封裝采用�(biāo)�(zhǔn) TO-263,便于集成到�(xiàn)� PCB �(shè)�(jì)��
GA0805H563JXXBT31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器電��
3. 工業(yè)控制�(shè)備和自動(dòng)化系�(tǒng)�
4. 汽車電子中的�(fù)載切換和電池管理�
5. 高效 LED �(qū)�(dòng)器和太陽能逆變��
6. 任何需要大電流、高效率開關(guān)的應(yīng)用場��
IRFZ44N, FDP55N06L, STP80NF06