時(shí)間：2025/5/22 15:50:50
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GA0805H563JBXBR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片，適用于高頻開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用。該芯片采用了先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和良好的熱性能。
其主要特點(diǎn)是能夠在高頻工作條件下保持高效能，同時(shí)具備出色的耐熱特性和可靠性，適合各種工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率管理需求。
型號：GA0805H563JBXBR31G
類型：N溝道 MOSFET
VDS（漏源電壓）：60V
RDS(on)（導(dǎo)通電阻）：4.5mΩ
ID（持續(xù)漏電流）：90A
柵極電荷：28nC
功耗：170W
封裝形式：TO-247
工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
GA0805H563JBXBR31G 的核心優(yōu)勢在于其優(yōu)化的電氣特性和機(jī)械設(shè)計(jì)：
1. 低導(dǎo)通電阻（RDS(on)），有效減少導(dǎo)通損耗并提高效率。
2. 高速開關(guān)能力，支持高達(dá)500kHz的開關(guān)頻率，滿足現(xiàn)代高頻電源設(shè)計(jì)需求。
3. 內(nèi)置ESD保護(hù)功能，提升芯片在惡劣環(huán)境下的可靠性。
4. 熱阻較低，能夠更好地散發(fā)熱量，確保長時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行。
5. 封裝采用大功率TO-247標(biāo)準(zhǔn)，便于散熱設(shè)計(jì)和安裝。
6. 寬泛的工作溫度范圍，適應(yīng)多種應(yīng)用場景。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源（SMPS）中的主功率開關(guān)或同步整流元件。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的核心功率器件。
3. 工業(yè)設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
4. 負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路。
5. 電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)及逆變器。
6. 各類需要高效功率管理的電子設(shè)備中。
GA0805H563KAXBR31G, IRF540N, FDP55N60E
