GA0805H562JBXBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開關電�、DC-DC 轉換器和電機驅動等應�。該芯片采用了先進的溝槽� MOSFET 技�,具有較低的導通電阻和較高的電流承載能力,能夠在高頻條件下實現(xiàn)高效的功率轉��
這款器件通常被用于需要高效率和高可靠性的場景�,其封裝形式和電氣特性使得它成為眾多工業(yè)和消費電子領域中的理想選擇�
型號:GA0805H562JBXBT31G
類型:N-Channel Power MOSFET
額定電壓�50V
額定電流�80A
導通電阻(典型值)�2.5mΩ
柵極電荷�35nC
開關速度:快�
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
GA0805H562JBXBT31G 具有以下顯著特性:
1. 低導通電阻(Rds(on)�,能夠減少傳導損�,提升系�(tǒng)效率�
2. 高額定電流能�,適用于大功率應用場��
3. 快速開關性能,支持高頻操�,適合現(xiàn)代高效電源設計�
4. 極低的柵極電荷(Qg�,有助于降低驅動損耗�
5. 高可靠�,可在極端溫度范圍內�(wěn)定運��
6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
這些特性共同確保了 GA0805H562JBXBT31G 在多種功率轉換和控制應用中的卓越表現(xiàn)�
GA0805H562JBXBT31G 廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS�
2. DC-DC 轉換�
3. 電機驅動
4. 工業(yè)逆變�
5. 太陽能微逆變�
6. 電動車充電設�
7. LED 驅動電路
由于其強大的性能和穩(wěn)定性,該器件在需要高功率密度和高效率的場景中尤為適用�
GA0805H562JBXBT31K, IRF840, FDP5800