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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > GA0805H562JBXBT31G

GA0805H562JBXBT31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/5 10:17:22 查看 閱讀�13

GA0805H562JBXBT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開關電�、DC-DC 轉換器和電機驅動等應�。該芯片采用了先進的溝槽� MOSFET 技�,具有較低的導通電阻和較高的電流承載能力,能夠在高頻條件下實現(xiàn)高效的功率轉��
  這款器件通常被用于需要高效率和高可靠性的場景�,其封裝形式和電氣特性使得它成為眾多工業(yè)和消費電子領域中的理想選擇�

參數(shù)

型號:GA0805H562JBXBT31G
  類型:N-Channel Power MOSFET
  額定電壓�50V
  額定電流�80A
  導通電阻(典型值)�2.5mΩ
  柵極電荷�35nC
  開關速度:快�
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247

特�

GA0805H562JBXBT31G 具有以下顯著特性:
  1. 低導通電阻(Rds(on)�,能夠減少傳導損�,提升系�(tǒng)效率�
  2. 高額定電流能�,適用于大功率應用場��
  3. 快速開關性能,支持高頻操�,適合現(xiàn)代高效電源設計�
  4. 極低的柵極電荷(Qg�,有助于降低驅動損耗�
  5. 高可靠�,可在極端溫度范圍內�(wěn)定運��
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
  這些特性共同確保了 GA0805H562JBXBT31G 在多種功率轉換和控制應用中的卓越表現(xiàn)�

應用

GA0805H562JBXBT31G 廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS�
  2. DC-DC 轉換�
  3. 電機驅動
  4. 工業(yè)逆變�
  5. 太陽能微逆變�
  6. 電動車充電設�
  7. LED 驅動電路
  由于其強大的性能和穩(wěn)定性,該器件在需要高功率密度和高效率的場景中尤為適用�

替代型號

GA0805H562JBXBT31K, IRF840, FDP5800

ga0805h562jbxbt31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • 產品狀�(tài)在售
  • 電容5600 pF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X8R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0805�2012 公制�
  • 大小 / 尺寸0.079" � x 0.049" 寬(2.00mm x 1.25mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.057"�1.45mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-